| 论文摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 插图清单 | 第13-18页 |
| 表格清单 | 第18-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-44页 |
| 1.1 引言 | 第19-20页 |
| 1.2 冷分子囚禁的研究进展 | 第20-30页 |
| 1.2.1 冷分子的静电囚禁 | 第21-27页 |
| 1.2.2 冷分子的静磁囚禁 | 第27-29页 |
| 1.2.3 冷分子的激光囚禁 | 第29-30页 |
| 1.3 分子激光冷却的研究进展 | 第30-39页 |
| 1.4 利用分子斯塔克光谱测量电场的研究进展 | 第39-42页 |
| 1.5 本文的主要研究工作 | 第42-44页 |
| 第二章 光学通道开放的冷分子静电阱 | 第44-58页 |
| 2.1 引言 | 第44页 |
| 2.2 静电阱方案与公式推导 | 第44-47页 |
| 2.3 理论计算与结果 | 第47-51页 |
| 2.4 分析与讨论 | 第51-56页 |
| 2.4.1 冷分子的装载与囚禁 | 第51-54页 |
| 2.4.2 在光学势蒸发冷却中的应用 | 第54-55页 |
| 2.4.3 在冷分子静电表面囚禁中的应用 | 第55-56页 |
| 2.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第三章 冷分子静电囚禁与冷却新方案 | 第58-67页 |
| 3.1 引言 | 第58页 |
| 3.2 冷分子静电囚禁新方案 | 第58-60页 |
| 3.3 冷分子装载与囚禁动力学过程的Monte-Carlo模拟 | 第60-62页 |
| 3.4 ND_3分子在静电势阱中的冷却效应 | 第62-65页 |
| 3.5 分析与讨论 | 第65-66页 |
| 3.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第四章 分子激光冷却相关参数的理论计算 | 第67-102页 |
| 4.1 引言 | 第67页 |
| 4.2 双原子分子振动能级结构的理论计算 | 第67-74页 |
| 4.3 双原子分子转动能级结构的理论计算 | 第74-89页 |
| 4.4 双原子分子宇称的判断 | 第89-90页 |
| 4.5 双原子分子在外场中能级移动的理论计算 | 第90-100页 |
| 4.5.1 双原子分子在静磁场中的塞曼能级移动 | 第90-96页 |
| 4.5.2 双原子分子在静电场中的斯塔克能级移动 | 第96-99页 |
| 4.5.3 双原子分子在静电场中的宇称混合效应 | 第99-100页 |
| 4.6 本章小结 | 第100-102页 |
| 第五章 分子斯塔克光谱在静电场测量方面的应用 | 第102-127页 |
| 5.1 引言 | 第102页 |
| 5.2 利用分子斯塔克光谱测量电场的基本原理 | 第102-103页 |
| 5.3 利用分子斯塔克光谱测量电场的理论计算 | 第103-105页 |
| 5.4 利用CS分子的斯塔克光谱测量电场 | 第105-110页 |
| 5.5 利用ZrO分子的斯塔克光谱测量电场 | 第110-125页 |
| 5.5.1 利用Q支与P支强度的比值来测量电场 | 第110-114页 |
| 5.5.2 利用Q支跃迁强度与光子计数技术来测量电场 | 第114-125页 |
| 5.6 本章小结 | 第125-127页 |
| 第六章 总结与展望 | 第127-131页 |
| 6.1 本文主要研究内容 | 第127-129页 |
| 6.2 本文主要创新之处 | 第129页 |
| 6.3 未来工作展望 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-144页 |
| 博士期间发表和待发表论文 | 第144-145页 |
| 致谢 | 第145-146页 |