| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-48页 |
| 1.1 研究背景—从石墨烯到层状TMDCs | 第10-12页 |
| 1.2 层状TMDCs的基本物理性质 | 第12-18页 |
| 1.2.1 原子结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 能带结构 | 第13-15页 |
| 1.2.3 光电性质 | 第15-17页 |
| 1.2.4 力学性质 | 第17-18页 |
| 1.3 基于原子层厚度的性能调控 | 第18-26页 |
| 1.3.1 外界调控—衬底、应力和电场 | 第18-22页 |
| 1.3.2 内部调控—厚度、合金和异质结 | 第22-26页 |
| 1.4 目前的制备方法 | 第26-29页 |
| 1.5 基于层状TMDcs半导体器件的应用 | 第29-33页 |
| 1.6 本论文的动机及主要内容 | 第33-35页 |
| 1.7 参考文献 | 第35-48页 |
| 第二章 实验方法和测试手段 | 第48-52页 |
| 2.1 材料生长 | 第48页 |
| 2.2 器件制备工艺 | 第48-50页 |
| 2.2.1 材料的转移 | 第49页 |
| 2.2.2 微纳加工技术 | 第49-50页 |
| 2.3 器件的电学测试 | 第50-52页 |
| 第三章 层状TMDCS材料自支撑结构的制备及机理研究 | 第52-68页 |
| 3.1 研究背景 | 第52-54页 |
| 3.2 技术路线和实验结果 | 第54-56页 |
| 3.3 对于自支撑结构形成的机理分析 | 第56-62页 |
| 3.4 自支撑结构制备的普适性研究 | 第62-63页 |
| 3.5 基于自支撑结构的光电探测器 | 第63-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65页 |
| 3.7 参考文章 | 第65-68页 |
| 第四章 层状TMDCS材料内在半导体结的研究(1) | 第68-82页 |
| 4.1 引言 | 第69-70页 |
| 4.2 多层TMDCs的大面积、层数可控制备 | 第70页 |
| 4.3 多层TMDCs的表征 | 第70-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 4.5 参考文章 | 第77-82页 |
| 第五章 层状TMDCS材料内在半导体结的研究(2) | 第82-94页 |
| 5.1 引言 | 第82页 |
| 5.2 实验部分 | 第82-83页 |
| 5.3 实验结果及机理分析 | 第83-91页 |
| 5.4 小结 | 第91页 |
| 5.5 参考文章 | 第91-94页 |
| 第六章 层状TMDCS材料层间耦合作用的探索 | 第94-110页 |
| 6.1 引言 | 第94-96页 |
| 6.2 实验部分 | 第96-98页 |
| 6.2.1 MoSe_2/WSe_2异质结生长 | 第96-97页 |
| 6.2.2 实验设计 | 第97-98页 |
| 6.2.3 拉伸实验 | 第98页 |
| 6.3 实验结果及内在机理分析 | 第98-105页 |
| 6.3.1 MoSe_2/WSe_2异质结各特征峰的判断 | 第98-100页 |
| 6.3.2 MoSe_2/WSe_2异质结拉伸结果分析 | 第100-105页 |
| 6.4 本章小结 | 第105-106页 |
| 6.5 参考文献 | 第106-110页 |
| 第七章 总结和将来的工作计划 | 第110-114页 |
| 7.1 总结 | 第110-111页 |
| 7.2 将来的工作计划 | 第111-112页 |
| 7.3 参考文献 | 第112-114页 |
| 在学期间的研究成果 | 第114-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
