| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 前言 | 第10-19页 |
| 1.1 量子计算简介 | 第10-13页 |
| 1.1.1 量子比特和量子叠加态 | 第10-11页 |
| 1.1.2 消相干作用 | 第11-12页 |
| 1.1.3 实现量子计算的物理载体 | 第12-13页 |
| 1.2 超导量子比特 | 第13-19页 |
| 1.2.1 超导技术 | 第13页 |
| 1.2.2 超导LC振荡电路 | 第13-14页 |
| 1.2.3 约瑟夫森结(Josephson junction,JJ) | 第14-15页 |
| 1.2.4 超导磁通量子比特 | 第15-17页 |
| 1.2.5 超导量子比特的发展及现状 | 第17-19页 |
| 第二章 超导磁通量子比特的制备 | 第19-40页 |
| 2.1 深紫外光曝光制备悬空掩膜结构 | 第20-26页 |
| 2.1.1 深紫外曝光技术的原理 | 第20-21页 |
| 2.1.2 制备悬空掩膜结构的工艺流程 | 第21-22页 |
| 2.1.3 影响悬空掩膜结构制备的重要因素 | 第22-26页 |
| 2.2 电子束蒸发系统制备铝薄膜 | 第26-30页 |
| 2.2.1 薄膜平整度与隧道结漏电比研究 | 第26-28页 |
| 2.2.2 蒸发角度的控制 | 第28页 |
| 2.2.3 制备铝膜过程中遇到的问题和解决方法 | 第28-30页 |
| 2.3 静态氧化法制备铝隧道结势垒层 | 第30-32页 |
| 2.3.1 静态氧化法 | 第31页 |
| 2.3.2 静态氧化时间的确定 | 第31-32页 |
| 2.3.3 静态氧化压强与铝结临界电流密度关系 | 第32页 |
| 2.4 透射电镜(TEM)分析铝隧道结三层结构 | 第32-40页 |
| 2.4.1 TEM分析简介 | 第32-33页 |
| 2.4.2 透射电镜样品制备 | 第33-34页 |
| 2.4.3 静态氧化压强与铝结势垒层厚度的关系 | 第34-37页 |
| 2.4.4 铝结临界电流密度与势垒层厚度的关系 | 第37页 |
| 2.4.5 隧道结I-V特性测试结果及DC-SQUID调制特性 | 第37-40页 |
| 第三章 Al/AlO_x/Al隧道结相位扩散的现象 | 第40-50页 |
| 3.1 约瑟夫森结相位动力学模型与相位消散现象 | 第40-42页 |
| 3.2 跳变电流分布(SCD)测量 | 第42-43页 |
| 3.3 隧道结跳变电流在不同温度下的统计分布 | 第43-45页 |
| 3.3.1 Nb/AlO_x/Nb结的跳变电流统计分布 | 第43-44页 |
| 3.3.2 Al/AlO_x/Al结的跳变电流统计分布 | 第44-45页 |
| 3.4 测量结果分析 | 第45-49页 |
| 3.5 结论 | 第49-50页 |
| 第四章 超导磁屏蔽系统设计 | 第50-55页 |
| 4.1 超导体的Meissner效应 | 第50页 |
| 4.2 磁屏蔽系统设计与成品 | 第50-52页 |
| 4.3 磁屏蔽系统测试 | 第52-54页 |
| 4.4 小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士期间发表或待发表的论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
