| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第15-18页 |
| 1.2 研究的对象 | 第18-19页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 本文研究工作 | 第20-22页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第20-21页 |
| 1.4.2 主要创新点 | 第21-22页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第22-23页 |
| 第二章 软错误理论基础 | 第23-33页 |
| 2.1 软错误产生机理 | 第23-25页 |
| 2.1.1 空间辐射环境 | 第23-24页 |
| 2.1.2 软错误形成机理 | 第24-25页 |
| 2.2 软错误分类 | 第25-27页 |
| 2.2.1 单粒子效应 | 第25-26页 |
| 2.2.2 单粒子多节点效应 | 第26-27页 |
| 2.3 软错误传播与计算 | 第27-29页 |
| 2.3.1 软错误三种屏蔽效应 | 第27页 |
| 2.3.2 电路软错误 | 第27-29页 |
| 2.4 集成电路软错误率评估方法 | 第29-31页 |
| 2.4.1 存储电路软错误率 | 第29页 |
| 2.4.2 逻辑电路软错误率 | 第29-30页 |
| 2.4.3 芯片软错误率 | 第30-31页 |
| 2.5 系统的开发环境与技术细节 | 第31-32页 |
| 2.5.1 Visual C++6.0概述 | 第31页 |
| 2.5.2 STL概述 | 第31-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 考虑单粒子多瞬态的电路软错误率计算模型 | 第33-44页 |
| 3.1 瞬态脉冲产生模型 | 第33-34页 |
| 3.1.1 单指数模型 | 第33页 |
| 3.1.2 双指数模型 | 第33-34页 |
| 3.1.3 UGC模型 | 第34页 |
| 3.2 故障概率模型 | 第34-36页 |
| 3.2.1 信号概率 | 第34-35页 |
| 3.2.2 四值逻辑 | 第35-36页 |
| 3.3 单粒子多瞬态脉冲屏蔽模型 | 第36-37页 |
| 3.3.1 逻辑屏蔽模型 | 第36页 |
| 3.3.2 电气屏蔽模型 | 第36-37页 |
| 3.3.3 时窗屏蔽模型 | 第37页 |
| 3.4 单粒子多瞬态脉冲复合模型 | 第37-41页 |
| 3.4.1 SEMT故障位置对的提取 | 第37-38页 |
| 3.4.2 SEMT故障脉冲的注入 | 第38-39页 |
| 3.4.3 SEMT故障脉冲的复合 | 第39-41页 |
| 3.5 基于概率的电路软错误率计算 | 第41-43页 |
| 3.5.1 电路失效概率计算 | 第41-42页 |
| 3.5.2 电路总体软错误率计算 | 第42-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 考虑单粒子多瞬态脉冲的电路软错误率评估实现 | 第44-54页 |
| 4.1 考虑SEMT的电路软错误率评估总体框架 | 第44-45页 |
| 4.2 考虑SEMT的电路软错误率评估流程 | 第45-46页 |
| 4.3 电路解析与分级 | 第46-47页 |
| 4.4 SEMT故障脉冲的传播 | 第47-48页 |
| 4.4.1 电路状态更新 | 第47页 |
| 4.4.2 数据通路提取 | 第47-48页 |
| 4.5 考虑SEMT的电路软错误率评估 | 第48-50页 |
| 4.6 实验结果及分析 | 第50-53页 |
| 4.6.1 实验环境 | 第50页 |
| 4.6.2 电路失效概率评估结果 | 第50-52页 |
| 4.6.3 电路软错误率评估结果 | 第52-53页 |
| 4.7 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 本文总结 | 第54页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第62页 |