致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第16-31页 |
1.1 引言 | 第16页 |
1.2 一维半导体纳米材料异质结 | 第16-17页 |
1.3 纳米太阳能电池 | 第17-21页 |
1.4 纳米光电探测器 | 第21-23页 |
1.5 局域表面等离子体共振的原理与应用 | 第23-29页 |
1.5.1 局域表面等离子体共振的原理 | 第23-24页 |
1.5.2 金属纳米颗粒的可控合成 | 第24-25页 |
1.5.3 金属纳米颗粒的LSPR性质 | 第25-27页 |
1.5.4 金属纳米颗粒的LSPR在光电子器件方面的应用 | 第27-29页 |
1.6 本课题研究的背景及其意义 | 第29-31页 |
第二章 ZnSe纳米带和Ag纳米颗粒的合成及其表征 | 第31-38页 |
2.1 前言 | 第31-32页 |
2.2 p型ZnSe:Sb纳米带和Ag纳米颗粒的合成 | 第32-34页 |
2.2.1 p型ZnSe:Sb纳米带的合成 | 第32-33页 |
2.2.2 Ag纳米颗粒的合成 | 第33-34页 |
2.3 p型ZnSe:Sb纳米带和Ag纳米颗粒的表征 | 第34-37页 |
2.3.1 p型ZnSe:Sb纳米带的表征 | 第34-36页 |
2.3.2 Ag纳米颗粒的表征 | 第36-37页 |
2.4 本章小结 | 第37-38页 |
第三章 基于ZnSe纳米带等离子体增强器件的光电特性 | 第38-52页 |
3.1 引言 | 第38页 |
3.2 Ag纳米颗粒和硒化锌纳米带的光学性质 | 第38-42页 |
3.2.1 Ag纳米颗粒的光学性质 | 第38-41页 |
3.2.2 ZnSe纳米带的光学性质 | 第41-42页 |
3.3 ZnSe和Si异质结器件的制备 | 第42-45页 |
3.4 ZnSe和Si异质结器件的电学特性 | 第45-49页 |
3.4.1 器件的光伏特性 | 第45-47页 |
3.4.2 器件的光响应特性 | 第47-49页 |
3.5 器件的原理解释 | 第49-50页 |
3.6 本章小结 | 第50-52页 |
第四章 全文总结 | 第52-54页 |
参考文献 | 第54-58页 |
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第58页 |