碳化硅雪崩紫外探测器结构仿真研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 碳化硅材料 | 第15-17页 |
| 1.2 碳化硅雪崩紫外探测器 | 第17-20页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 紫外探测器的种类和基本工作原理 | 第21-27页 |
| 2.1 紫外探测器的种类 | 第21-22页 |
| 2.2 紫外探测器的工作原理 | 第22-24页 |
| 2.3 雪崩紫外探测器的工作模式 | 第24-25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 紫外探测的重要参数 | 第27-33页 |
| 3.1 量子效率和响应度 | 第27页 |
| 3.2 光谱响应范围 | 第27-28页 |
| 3.3 暗电流 | 第28-29页 |
| 3.4 噪声 | 第29-30页 |
| 3.5 响应时间和截至频率 | 第30-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 雪崩紫外探测器的结构设计和仿真 | 第33-47页 |
| 4.1 器件结构设计 | 第33-35页 |
| 4.2 仿真中采用的物理模型 | 第35-39页 |
| 4.2.1 漂移扩散模型 | 第35页 |
| 4.2.2 迁移率模型 | 第35页 |
| 4.2.3 复合模型 | 第35-36页 |
| 4.2.4 雪崩击穿模型 | 第36-37页 |
| 4.2.5 碳化硅的吸收系数 | 第37-39页 |
| 4.3 仿真结果分析 | 第39-45页 |
| 4.3.1 反偏IV曲线 | 第39-40页 |
| 4.3.2 光谱响应曲线与反偏电压的关系 | 第40-44页 |
| 4.3.3 瞬态特性仿真 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 台面结构的构造与仿真 | 第47-55页 |
| 5.1 台面结构简介 | 第47页 |
| 5.2 台面结构仿真 | 第47-51页 |
| 5.3 台面工艺的实现 | 第51-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-55页 |
| 第六章 结束语 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 作者简介 | 第61-62页 |
