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一种新型CMOS亚阈值四象限模拟乘法器的研究与设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-16页
第一章 绪论第16-20页
    1.1 课题研究的背景及意义第16-17页
    1.2 国内外发展状况第17-18页
    1.3 本文的章节安排第18-20页
第二章 乘法器原理及其应用第20-38页
    2.1 模拟乘法器模型第20-21页
    2.2 模拟乘法器的计算误差和基本性能参数第21-23页
        2.2.1 模拟乘法器的计算误差第21-23页
        2.2.2 基本性能参数第23页
    2.3 经典的四象限模拟乘法器第23-27页
        2.3.1 差分放大电路的差模传输特性第24-25页
        2.3.2 二象限模拟乘法器基本单元第25-26页
        2.3.3 四象限模拟乘法器基本单元第26-27页
    2.4 其他种类的模拟乘法器第27-30页
        2.4.1 电流模式的四象限模拟乘法器第28-29页
        2.4.2 MOS结构四象限模拟乘法器第29页
        2.4.3 开关电容型模拟乘法器第29-30页
    2.5 模拟乘法器的应用第30-36页
        2.5.1 基本运算第31-33页
        2.5.2 在通讯领域的应用第33-36页
    2.6 本章小结第36-38页
第三章 模拟电路低功耗设计方法第38-46页
    3.1 CMOS电路功耗来源第38-40页
    3.2 低压低功耗模拟电路设计中的问题第40-41页
    3.3 模拟电路的低功耗设计方法第41-45页
        3.3.1 亚阈值工作区第41-42页
        3.3.2 阈值电压降低技术第42-43页
        3.3.3 横向BJT技术第43页
        3.3.4 电流模式电路第43-44页
        3.3.5 其他低功耗设计方法第44-45页
    3.4 本章小结第45-46页
第四章 亚阈值乘法器设计相关技术第46-62页
    4.1 MOS管亚阈值特性第46-50页
        4.1.1 MOSFET结构第46-47页
        4.1.2 阈值电压第47-49页
        4.1.3 亚阈值电导第49-50页
    4.2 衬底偏置效应第50-51页
    4.3 沟道长度调制效应第51-53页
    4.4 电流镜基本原理第53-56页
        4.4.1 基本电流镜第54页
        4.4.2 共源共栅电流镜第54-56页
    4.5 多输入浮栅晶体管第56-58页
        4.5.1 浮栅晶体管的结构第56页
        4.5.2 多输入浮栅晶体管(MIFG MOS)第56-58页
        4.5.3 多输入浮栅晶体管存在的一些问题第58页
    4.6 准浮栅晶体管技术第58-60页
    4.7 本章小结第60-62页
第五章 亚阈值四象限电流镜乘法器设计第62-74页
    5.1 电流镜实现乘法单元第62-64页
    5.2 衬底驱动实现乘数第64-66页
    5.3 差分四象限实现方法第66-67页
    5.4 电压模输入及输出第67-69页
    5.5 利用准浮栅技术实现差分电压输入及提高线性范围第69-71页
    5.6 完整乘法器电路图第71-72页
    5.7 本章小结第72-74页
第六章 亚阈值四象限乘法器电路仿真第74-80页
    6.1 电路中器件的参数及版图第74-75页
    6.2 衬底驱动与栅驱动对比第75-76页
    6.3 准浮栅结构分压和提供直流偏置电压的效果第76页
    6.4 乘法器的直流传输特性第76-77页
    6.5 乘法器的频率响应特性第77-78页
    6.6 利用乘法器实现倍频第78页
    6.7 利用乘法器实现调幅第78-79页
    6.8 本章小结第79-80页
第七章 总结与展望第80-82页
参考文献第82-84页
致谢第84-86页
作者简介第86-87页

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