| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·薄膜环形器的发展与研究现状 | 第10-12页 |
| ·YIG 薄膜制备的发展和研究现状 | 第12-15页 |
| ·铁氧体材料 | 第12-13页 |
| ·YIG 简介 | 第13-15页 |
| ·本论文的主要工作及内容安排 | 第15-16页 |
| 第二章 YIG 薄膜的制备及研究方法 | 第16-22页 |
| ·脉冲激光沉积技术(PLD) | 第16-18页 |
| ·PLD 发展简介 | 第16页 |
| ·PLD 基本原理简介 | 第16-17页 |
| ·PLD 的优势和不足 | 第17页 |
| ·实验所用仪器介绍 | 第17-18页 |
| ·薄膜检测仪器简介 | 第18-22页 |
| ·XRD | 第18-19页 |
| ·SEM | 第19-20页 |
| ·VSM | 第20页 |
| ·FMR、XPS 和 AFM | 第20-22页 |
| 第三章 YIG 靶材制备 | 第22-27页 |
| ·固相烧结法 | 第22-23页 |
| ·预烧温度对靶材性能的影响 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 YIG 薄膜制备条件研究 | 第27-56页 |
| ·YIG 薄膜的技术指标要求 | 第27-28页 |
| ·饱和磁化强度 | 第27页 |
| ·铁磁共振线宽 | 第27页 |
| ·二价铁含量 | 第27-28页 |
| ·居里温度 | 第28页 |
| ·薄膜厚度 | 第28页 |
| ·薄膜制备工艺流程 | 第28-31页 |
| ·基片清洗及处理 | 第28-29页 |
| ·基片与靶材的安装 | 第29页 |
| ·薄膜沉积前的准备操作 | 第29-30页 |
| ·沉积薄膜 | 第30页 |
| ·降温并取出薄膜 | 第30-31页 |
| ·对薄膜进行退火处理 | 第31页 |
| ·在 Si 基片上制备 YIG 薄膜 | 第31-47页 |
| ·基片温度对薄膜性能的影响 | 第33-38页 |
| ·氧气压强的影响 | 第38-42页 |
| ·退火时间对 Si 基片上制备的 YIG 薄膜性质的影响 | 第42-45页 |
| ·激光频率对 YIG 薄膜质量的影响 | 第45-47页 |
| ·在 GGG 基片上制备 YIG 薄膜 | 第47-55页 |
| ·沉积温度对薄膜性质的影响 | 第48-51页 |
| ·氧气压强对影响 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 10μm 以上 YIG 薄膜的制备 | 第56-66页 |
| ·MgO 和蓝宝石基片上制备 YIG 薄膜的研究 | 第56-59页 |
| ·YIG 厚膜的制备 | 第59-65页 |
| ·在 GGG 基片上制备 YIG 厚膜 | 第59-62页 |
| ·在蓝宝石和 MgO 基片上制备 YIG 厚膜 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 附录 | 第74页 |