| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·功率 MOSFET 的历史和发展 | 第9-13页 |
| ·单粒子效应 | 第13-15页 |
| ·空间辐射环境 | 第13-14页 |
| ·单粒子效应 | 第14-15页 |
| ·国内外研究现状和成果 | 第15-17页 |
| ·本论文的工作安排及预期结果 | 第17-19页 |
| 第2章 槽栅功率 MOSFET 的单粒子效应模拟研究 | 第19-31页 |
| ·槽栅功率 MOSFET 的结构和基本特性 | 第19-22页 |
| ·工作原理 | 第19-20页 |
| ·基本特性 | 第20-22页 |
| ·单粒子效应模拟 | 第22页 |
| ·槽栅功率 MOSFET 的单粒子效应 | 第22-27页 |
| ·槽栅功率 MOSFET 的单粒子烧毁效应 | 第22-25页 |
| ·槽栅功率 MOSFET 的单粒子栅穿效应 | 第25-26页 |
| ·单粒子烧毁效应和栅穿效应的对比 | 第26-27页 |
| ·槽栅功率 MOSFET 单粒子烧毁效应的影响因素研究 | 第27-30页 |
| ·载流子寿命的影响 | 第27-28页 |
| ·源区掺杂浓度的影响 | 第28-29页 |
| ·P~+体区的扩展 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 抗单粒子效应的加固结构 I——扩展 P~+体区和 N~+缓冲层 | 第31-44页 |
| ·加固结构 I——扩展 P~+体区和 N~+缓冲层 | 第31-36页 |
| ·加固结构的提出 | 第31-32页 |
| ·P~+体区的扩展 | 第32-33页 |
| ·N~+缓冲层 | 第33-35页 |
| ·单粒子烧毁效应模拟研究 | 第35-36页 |
| ·单粒子栅穿效应模拟研究 | 第36-40页 |
| ·加固结构的单粒子栅穿效应研究 | 第36-38页 |
| ·理论分析 | 第38-39页 |
| ·栅偏压对单粒子效应的影响 | 第39-40页 |
| ·低温对单粒子效应的影响 | 第40-43页 |
| ·低温对单粒子烧毁效应的影响 | 第40-42页 |
| ·低温对单粒子栅穿效应的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 抗单粒子效应的加固结构 II——源区肖特基接触 | 第44-59页 |
| ·加固结构 II——源区肖特基接触 | 第44-49页 |
| ·加固结构的提出 | 第44-45页 |
| ·单粒子烧毁效应模拟研究 | 第45-47页 |
| ·基本特性研究 | 第47-49页 |
| ·正向电流的优化 | 第49-51页 |
| ·金属功函数和正向电流的关系 | 第49-50页 |
| ·单粒子烧毁效应模拟研究 | 第50-51页 |
| ·阈值电压的优化 | 第51-53页 |
| ·P-区掺杂浓度和阈值电压的关系 | 第51页 |
| ·氧化层厚度和阈值电压的关系 | 第51-52页 |
| ·单粒子烧毁效应模拟研究 | 第52-53页 |
| ·优化结构的单粒子效应模拟仿真 | 第53-58页 |
| ·优化结构的提出和基本特性模拟仿真 | 第53-55页 |
| ·单粒子效应模拟研究 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
