| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-22页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·肖特基势垒二极管 | 第12-19页 |
| ·平面肖特基二极管 | 第13-14页 |
| ·结势垒控制肖特基二极管 | 第14-15页 |
| ·混合整流肖特基二极管 | 第15-16页 |
| ·沟槽 MOS 势垒肖特基二极管 | 第16-17页 |
| ·双金属沟槽肖特基夹断型二极管 | 第17页 |
| ·超结肖特基二极管 | 第17-19页 |
| ·功率肖特基器件的研究现状 | 第19-21页 |
| ·研究内容与创新 | 第21页 |
| ·本文章节安排 | 第21-22页 |
| 第2章 功率肖特基二极管 | 第22-30页 |
| ·肖特基整流理论 | 第22-25页 |
| ·肖特基接触势垒 | 第22-23页 |
| ·肖特基势垒中载流子的运输机构 | 第23-24页 |
| ·肖特基接触的导电特性 | 第24-25页 |
| ·肖特基势垒电容 | 第25页 |
| ·肖特基势垒二极管理论分析 | 第25-29页 |
| ·正向导通特性 | 第26页 |
| ·反向截止特性 | 第26-27页 |
| ·结电容 | 第27页 |
| ·反向恢复特性 | 第27-28页 |
| ·功率损耗 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 多介质沟槽 MOS 势垒肖特基二极管 | 第30-42页 |
| ·VK-TMBS 理论分析 | 第30-32页 |
| ·TMBS 的结构参数优化设计 | 第32-34页 |
| ·外延层浓度优化 | 第33页 |
| ·介质层厚度优化 | 第33-34页 |
| ·VK-TMBS 可行性的仿真验证 | 第34-36页 |
| ·VK-TMBS 结构参数优化设计 | 第36-41页 |
| ·外延层浓度优化 | 第36-38页 |
| ·介质层厚度优化 | 第38-40页 |
| ·三种介质长度比例优化 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 沟槽 MOS 结构超结肖特基二极管 | 第42-52页 |
| ·TM-SJ-SBD 基本结构 | 第42-43页 |
| ·TM-SJ-SBD 结构参数优化 | 第43-48页 |
| ·P/N 柱浓度优化 | 第43-45页 |
| ·沟槽 MOS 结构间隔宽度 w 的优化 | 第45-47页 |
| ·沟槽 MOS 结构深度 d 的优化 | 第47-48页 |
| ·TM-SJ-SBD 静态特性 | 第48-50页 |
| ·反向截止特性 | 第48-49页 |
| ·正向导通特性 | 第49页 |
| ·结电容 | 第49-50页 |
| ·TM-SJ-SBD 的反向恢复特性 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 双超结肖特基二极管 | 第52-64页 |
| ·DSJ-SBD 基本结构 | 第52-53页 |
| ·DSJ-SBD 击穿电压与电荷平衡之间的研究 | 第53-58页 |
| ·DSJ-SBD-a 击穿电压与电荷平衡之间的关系 | 第53-56页 |
| ·DSJ-SBD-b 击穿电压与电荷平衡之间的关系 | 第56-58页 |
| ·DSJ-SBD 静态特性研究 | 第58-61页 |
| ·正向导通特性 | 第58-60页 |
| ·电容-电压特性 | 第60-61页 |
| ·DSJ-SBD 反向恢复特性研究 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |