| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·静电放电现象及危害 | 第7-8页 |
| ·ESD防护研究的发展和现状 | 第8-9页 |
| ·ESD防护措施和常见保护器件 | 第9-13页 |
| ·电阻 | 第10页 |
| ·二极管 | 第10-11页 |
| ·MOS晶体管 | 第11-12页 |
| ·可控硅整流器 | 第12-13页 |
| ·本文的研究意义和内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 ESD测试模型和测试方法 | 第15-25页 |
| ·静电放电模式 | 第15-21页 |
| ·人体放电模型HBM | 第15-18页 |
| ·机器放电模型MM | 第18-19页 |
| ·器件充电模型CDM | 第19-20页 |
| ·电场感应模型FIM | 第20-21页 |
| ·ESD测试方法 | 第21-24页 |
| ·传统测试方法 | 第21-23页 |
| ·TLP测试方法 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 GGNMOS的物理模型和仿真校准 | 第25-37页 |
| ·研究方法及工具介绍 | 第25-27页 |
| ·混合仿真方法介绍 | 第25-27页 |
| ·ISE-TCAD仿真工具简介 | 第27页 |
| ·物理模型研究 | 第27-33页 |
| ·传输方程模型 | 第28页 |
| ·复合模型 | 第28-29页 |
| ·雪崩离化模型 | 第29-30页 |
| ·迁移率模型 | 第30-32页 |
| ·能带模型 | 第32-33页 |
| ·混合模式仿真和校准 | 第33-36页 |
| ·混合仿真模型搭建 | 第33-34页 |
| ·混合仿真校准 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 ESD脉冲参数对GGNMOS瞬态特性的影响 | 第37-47页 |
| ·电压过冲现象及危害 | 第37-39页 |
| ·脉冲参数对瞬态响应的影响规律 | 第39-40页 |
| ·脉冲参数对瞬态响应的影响分析 | 第40-46页 |
| ·dV/dt效应及其作用机理 | 第40-43页 |
| ·GGNMOS瞬态响应机制仿真分析 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 深亚微米GGNMOS的ESD防护特性仿真优化 | 第47-61页 |
| ·深亚微米工艺的影响和对策 | 第47-51页 |
| ·LDD工艺的影响及改善措施 | 第48-50页 |
| ·Silicide工艺的影响及改善措施 | 第50-51页 |
| ·器件结构尺寸的影响及设计策略 | 第51-56页 |
| ·栅长L的影响 | 第51-53页 |
| ·栅漏接触孔距离DCGS的影响 | 第53-54页 |
| ·栅源接触孔距离SCGS的影响 | 第54-55页 |
| ·源衬距离SB的影响 | 第55-56页 |
| ·器件结构尺寸的正交试验优化设计 | 第56-59页 |
| ·正交试验设计 | 第56-57页 |
| ·正交试验结果分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |