| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·课题背景 | 第7页 |
| ·课题意义 | 第7-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 ESD 基本理论 | 第11-29页 |
| ·半导体器件的失效模式和失效机理 | 第11-13页 |
| ·ESD 失效理论 | 第13-14页 |
| ·ESD 损伤机理与部位 | 第13-14页 |
| ·ESD 损伤模式 | 第14页 |
| ·ESD 放电模式 | 第14-17页 |
| ·人体放电模式 | 第14-15页 |
| ·机器放电模式 | 第15-16页 |
| ·器件充电模式 | 第16页 |
| ·电场感应模式 | 第16页 |
| ·几种放电模式的相互比较 | 第16-17页 |
| ·ESD 测试理论 | 第17-23页 |
| ·ESD 测试方法 | 第17-20页 |
| ·ESD 测试分类 | 第20-23页 |
| ·ESD 防护方式 | 第23-27页 |
| ·基于二极管的 ESD 防护理论 | 第24页 |
| ·基于 MOS 管的防护理论 | 第24-26页 |
| ·全芯片 ESD 防护 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 器件仿真的理论基础 | 第29-51页 |
| ·传输方程模型 | 第30-32页 |
| ·能带模型 | 第32-33页 |
| ·迁移率模型 | 第33-40页 |
| ·晶格振动散射造成的迁移率改变 | 第34-35页 |
| ·电离杂质散射造成的迁移率改变 | 第35-36页 |
| ·等同的能谷间散射造成的迁移率改变 | 第36-37页 |
| ·中性杂质散射造成的迁移率改变 | 第37页 |
| ·界面造成的迁移率改变 | 第37-38页 |
| ·载流子间相互散射造成的迁移率改变 | 第38-39页 |
| ·高场饱和造成的迁移率改变 | 第39-40页 |
| ·雪崩离化模型 | 第40-41页 |
| ·载流子的复合率 | 第41-42页 |
| ·SRH 复合 | 第41页 |
| ·俄歇复合 | 第41-42页 |
| ·边界条件 | 第42-46页 |
| ·固定边界条件 | 第42-44页 |
| ·浮值边界条件 | 第44-46页 |
| ·归一化 | 第46-47页 |
| ·ISE-TCAD 软件介绍 | 第47-50页 |
| ·工艺仿真工具 DIOS | 第49页 |
| ·器件描述工具 MDRAW | 第49-50页 |
| ·器件仿真工具 DESSIS | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 基于 SCR 和 LVTSCR 的 ESD 防护设计与分析 | 第51-73页 |
| ·SCR 的防护原理 | 第52-53页 |
| ·SCR 的特性仿真 | 第53-56页 |
| ·基本SCR结构参数改变引起的性能优化 | 第56-60页 |
| ·改变基区宽度L的仿真对比 | 第57-58页 |
| ·改变N阱掺杂浓度的仿真对比 | 第58-59页 |
| ·改变扩散区间距的仿真对比 | 第59-60页 |
| ·LVTSCR 的防护原理 | 第60-62页 |
| ·LVTSCR 的特性仿真 | 第62-67页 |
| ·改变 LVTSCR 内部尺寸参数的仿真对比 | 第63-66页 |
| ·改变 LVTSCR 内部各区域掺杂浓度的仿真对比 | 第66-67页 |
| ·提高 LVTSCR 维持电压 Vh 的方法 | 第67-69页 |
| ·VASCR 的器件结构和仿真分析 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| ·研究总结 | 第73-74页 |
| ·研究展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |