| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| ·ZnO 材料的基本特性 | 第10-11页 |
| ·ZnO 的能带结构 | 第11页 |
| ·ZnO 的缺陷 | 第11-13页 |
| ·ZnO 薄膜的用途 | 第13-15页 |
| ·ZnO 的掺杂 | 第15-17页 |
| ·本文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 ZnO 薄膜的制备及表征手段 | 第19-39页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第19-26页 |
| ·薄膜生长机理 | 第26-29页 |
| ·薄膜的制备 | 第29-31页 |
| ·薄膜的结构和性能表征 | 第31-39页 |
| 第三章 射频磁控溅射法制备 AZO:Si 薄膜的结构和性能 | 第39-58页 |
| ·薄膜厚度的影响 | 第39-49页 |
| ·基片温度的影响 | 第49-54页 |
| ·Si 掺杂浓度的影响 | 第54-58页 |
| 第四章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |