高性能非制冷热释电红外探测器的制备
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·热释电非制冷红外探测技术 | 第10-12页 |
| ·非制冷热释电红外探测器对材料的要求 | 第12-13页 |
| ·PVDF及共聚物薄膜概述 | 第13-15页 |
| ·表面等离子体极化激元共振技术 | 第15-19页 |
| ·红外焦平面铟柱对接 | 第19-21页 |
| ·本论文的主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 P(VDF-TrFE)极化反转特性研究 | 第23-35页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的制备 | 第23-25页 |
| ·实验设备和材料 | 第23-24页 |
| ·薄膜制备原理及工艺流程 | 第24-25页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的表征 | 第25-27页 |
| ·薄膜晶体结构表征 | 第25-26页 |
| ·铁电性能测试 | 第26页 |
| ·热释电系数测试 | 第26-27页 |
| ·测试结果分析 | 第27-34页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的XRD衍射图谱 | 第27-28页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜的热释电性 | 第28-30页 |
| ·P(VDF-TrFE)极化翻转特性研究 | 第30-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 高性能非制冷热释电红外探测器的制备 | 第35-45页 |
| ·热释电红外探测器工作原理和主要参数 | 第35-37页 |
| ·器件的表征方法 | 第37-39页 |
| ·器件的制备 | 第39-42页 |
| ·P(VDF-TrFE)薄膜器件的制备 | 第39页 |
| ·光栅结构Al电极的制备 | 第39-42页 |
| ·器件的表征 | 第42-44页 |
| ·光学表征 | 第42页 |
| ·电学表征 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 红外焦平面铟柱对接工艺 | 第45-53页 |
| ·铟柱的制备要求 | 第46-47页 |
| ·多层金属膜的选择 | 第47-49页 |
| ·铟柱的制备工艺 | 第49-50页 |
| ·P(VDF-TrFE)线列器件的制备 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结和展望 | 第53-55页 |
| ·总结 | 第53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 附录 | 第60页 |
