硅纳晶材料的制备和发光特性
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·硅纳晶相关材料的研究历史和现状 | 第10-17页 |
| ·硅纳晶相关材料研究中的关键问题 | 第17-20页 |
| ·测定硅纳晶尺寸分布的方法 | 第17-18页 |
| ·游离态硅纳晶的制备和尺寸控制 | 第18-19页 |
| ·富硅氮化硅的发光机制 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容和主要成果 | 第20-22页 |
| 第2章 硅纳晶尺寸分布与拉曼散射谱的关系 | 第22-37页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·拉曼散射的声子限制模型 | 第22-26页 |
| ·硅纳晶尺寸分布对拉曼谱的影响 | 第26-29页 |
| ·尺寸分布与拉曼谱特征之间的解析关系 | 第29-34页 |
| ·拉曼频移 | 第30-32页 |
| ·拉曼展宽 | 第32-34页 |
| ·利用拉曼散射确定尺寸分布参数 | 第34-35页 |
| ·进一步的讨论 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第3章 游离态硅纳晶的制备及发光特性 | 第37-55页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验方法 | 第37-39页 |
| ·硅纳晶样本的制备 | 第37-38页 |
| ·测试方法 | 第38-39页 |
| ·退火前一氧化硅的特性 | 第39-41页 |
| ·退火对一氧化硅结构的影响 | 第41-43页 |
| ·利用退火条件控制硅纳晶平均尺寸 | 第43-47页 |
| ·退火条件对硅纳晶尺寸分布的影响 | 第47-50页 |
| ·游离态硅纳晶的发光特性 | 第50-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第4章 富硅氮化硅的制备和发光特性 | 第55-69页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·氮化硅的制备和测试方法 | 第55-56页 |
| ·低射频功率沉积的氮化硅 | 第56-61页 |
| ·退火生长硅纳晶 | 第56-59页 |
| ·样本中的晶态硅和非晶硅 | 第59-60页 |
| ·样本的光致发光 | 第60-61页 |
| ·高射频功率沉积的氮化硅 | 第61-68页 |
| ·样本的光致发光及退火温度的影响 | 第61-62页 |
| ·缺陷态发光中心 | 第62-63页 |
| ·退火对硅-硅键含量的影响 | 第63-64页 |
| ·参与发光的能级结构 | 第64-66页 |
| ·基于缺陷态的超宽谱发光 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 结束语 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 附录 A 实验原理和方法 | 第85-95页 |
| A.1 引言 | 第85页 |
| A.2 样本的制备方法 | 第85-86页 |
| A.2.1 PECVD 生长介质薄膜 | 第85-86页 |
| A.2.2 样本的热处理 | 第86页 |
| A.3 样本的测试分析方法 | 第86-94页 |
| A.3.1 光致发光（PL、PLE、TRPL） | 第86-88页 |
| A.3.2 拉曼散射分析（Raman） | 第88-89页 |
| A.3.3 傅里叶红外吸收光谱分析（FTIR） | 第89-91页 |
| A.3.4 透射电子显微镜分析（TEM） | 第91-92页 |
| A.3.5 能量分散谱分析（EDS） | 第92-93页 |
| A.3.6 X 射线衍射分析（XRD） | 第93-94页 |
| A.4 小结 | 第94-95页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第95页 |
