| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 前言 | 第7-15页 |
| ·SiC单晶抛光片加工和表征的研究进展 | 第7-13页 |
| ·研究内容及研究方法 | 第13-15页 |
| 2 SiC晶片加工设备与加工工艺原理 | 第15-29页 |
| ·SiC晶片加工设备 | 第15-21页 |
| ·SiC单晶加工设备介绍 | 第15-17页 |
| ·金刚石线切割机的结构和使用 | 第17-19页 |
| ·研抛机的结构和使用 | 第19-20页 |
| ·X射线定向仪的结构和使用 | 第20-21页 |
| ·SiC晶片加工原理 | 第21-29页 |
| ·金刚石和碳化硼磨料 | 第21-22页 |
| ·线切割与定向切割原理 | 第22-24页 |
| ·机械研磨机理 | 第24-25页 |
| ·抛光原理 | 第25-27页 |
| ·脆性材料加工过程中的研磨损伤和断裂原理 | 第27-29页 |
| 3 SiC晶片加工实验 | 第29-49页 |
| ·SiC单晶锭的定向线切割 | 第29-37页 |
| ·定向线切割工艺流程 | 第30-31页 |
| ·单晶片切割实验结果讨论 | 第31-37页 |
| ·SiC晶片研磨 | 第37-40页 |
| ·平面研磨工艺 | 第38页 |
| ·定向平面研磨工艺 | 第38-39页 |
| ·非平面研磨工艺 | 第39-40页 |
| ·研磨结果讨论 | 第40-44页 |
| ·磨料种类和粒度对去除率及表面粗糙度的影响 | 第40-42页 |
| ·研磨盘转速对去除率及表面粗糙度的影响 | 第42-43页 |
| ·研磨液流量对去除率及表面粗糙度的影响 | 第43-44页 |
| ·研磨压力对去除率及表面粗糙度的影响 | 第44页 |
| ·研磨工艺参数优选 | 第44-45页 |
| ·SiC晶片的抛光 | 第45-49页 |
| ·抛光工艺流程 | 第45页 |
| ·机械抛光工艺参数的优选 | 第45-46页 |
| ·化学机械抛光工艺参数的优选 | 第46-49页 |
| 4 SiC晶片加工质量的测试与分析 | 第49-63页 |
| ·晶向测定及切割片的表面形貌分析 | 第49-51页 |
| ·晶片定向切割的解理断裂分析 | 第51-52页 |
| ·研磨片的表面形貌观察和粗糙度测试 | 第52-55页 |
| ·机械抛光样品的表面形貌及粗糙度测试 | 第55-59页 |
| ·化学机械抛光样品的表面形貌分析及表面/亚表面损伤分析 | 第59-63页 |
| 5 SiC晶片的氧化辅助加工 | 第63-71页 |
| ·SiC晶片氧化辅助加工原理 | 第63-64页 |
| ·SiC表面氧化工艺 | 第64-65页 |
| ·氧化辅助加工晶片表面模型 | 第65页 |
| ·氧化辅助加工的可行性分析 | 第65-68页 |
| ·不同抛光加工方法结果的比较与分析 | 第68-71页 |
| 6 结束语 | 第71-73页 |
| ·总结 | 第71页 |
| ·对今后工作的一些设想 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 在校期间发表的论文和申请专利 | 第79页 |