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SIC晶体生长系统关键技术研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-12页
   ·SIC晶体材料的发展及应用第8-9页
   ·SIC晶体材料制备第9-10页
   ·课题研究目的及意义第10-12页
第二章 SIC晶体生长设备配置第12-24页
   ·SIC晶体生长设备的主要配置框图第12-13页
   ·炉体结构设计第13页
   ·保护气体气路设计第13-14页
   ·真空系统设计第14-17页
     ·密封件材质的选用第14-16页
     ·真空检测系统第16-17页
   ·传动系统第17-18页
   ·循环水冷系统第18-19页
   ·温控系统第19-22页
     ·加热线圈第19页
     ·加热电源第19-20页
     ·温度检测组件第20-22页
   ·本章小结第22-24页
第三章 加热组件热场建模分析第24-30页
   ·传热方式第24-25页
     ·热传导第24页
     ·热对流第24-25页
     ·热辐射第25页
   ·传热模型第25-27页
     ·绝热层厚度设计第26-27页
   ·具有稳定表面输入功率的圆柱体温度分布第27-29页
     ·集肤效应第27-28页
     ·圆柱体径向导热模型第28-29页
   ·本章小结第29-30页
第四章 感应加热磁热分析第30-48页
   ·Maxwell's方程及感应加热的数学模型第30-32页
     ·电磁加热理论第30-31页
     ·电磁场边界条件第31-32页
   ·电磁加热ANSYS有限元分析第32-35页
     ·感应加热模型建立与分析单元选取第33页
     ·快速建模参数的设定和材料属性设置第33-35页
   ·主要参数对磁场分布的影响第35-40页
     ·线圈匝数对加热系统影响第35-37页
     ·线圈形状对加热系统的影响第37页
     ·电流强度对加热系统的影响第37-38页
     ·电流频率对磁场的影响第38-39页
     ·磁场小结第39-40页
   ·热分析模型建立第40-43页
     ·热分析类型第40-41页
     ·热分析类型第41-43页
   ·主要参数对温度场的影响第43-48页
     ·加热线圈与坩埚相对位置对温度场分布影响第43-45页
     ·不同加热时间对温度场的影响第45-46页
     ·热场小结第46-48页
第五章 系统硬件电路设计和软件设计第48-62页
   ·强电电路设计第48-49页
   ·弱电电路设计第49-55页
     ·伺服电机运动控制电路第49-53页
     ·工控机接口电路第53-55页
   ·系统软件设计第55-62页
     ·晶体生长流程分析第55-56页
     ·软件分析第56-62页
第六章 课题总结与展望第62-64页
   ·课题总结第62-63页
   ·展望第63-64页
致谢第64-66页
参考文献第66-68页
攻读硕士学位期间发表论文与参与项目第68页

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