SIC晶体生长系统关键技术研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
第一章 绪论 | 第8-12页 |
·SIC晶体材料的发展及应用 | 第8-9页 |
·SIC晶体材料制备 | 第9-10页 |
·课题研究目的及意义 | 第10-12页 |
第二章 SIC晶体生长设备配置 | 第12-24页 |
·SIC晶体生长设备的主要配置框图 | 第12-13页 |
·炉体结构设计 | 第13页 |
·保护气体气路设计 | 第13-14页 |
·真空系统设计 | 第14-17页 |
·密封件材质的选用 | 第14-16页 |
·真空检测系统 | 第16-17页 |
·传动系统 | 第17-18页 |
·循环水冷系统 | 第18-19页 |
·温控系统 | 第19-22页 |
·加热线圈 | 第19页 |
·加热电源 | 第19-20页 |
·温度检测组件 | 第20-22页 |
·本章小结 | 第22-24页 |
第三章 加热组件热场建模分析 | 第24-30页 |
·传热方式 | 第24-25页 |
·热传导 | 第24页 |
·热对流 | 第24-25页 |
·热辐射 | 第25页 |
·传热模型 | 第25-27页 |
·绝热层厚度设计 | 第26-27页 |
·具有稳定表面输入功率的圆柱体温度分布 | 第27-29页 |
·集肤效应 | 第27-28页 |
·圆柱体径向导热模型 | 第28-29页 |
·本章小结 | 第29-30页 |
第四章 感应加热磁热分析 | 第30-48页 |
·Maxwell's方程及感应加热的数学模型 | 第30-32页 |
·电磁加热理论 | 第30-31页 |
·电磁场边界条件 | 第31-32页 |
·电磁加热ANSYS有限元分析 | 第32-35页 |
·感应加热模型建立与分析单元选取 | 第33页 |
·快速建模参数的设定和材料属性设置 | 第33-35页 |
·主要参数对磁场分布的影响 | 第35-40页 |
·线圈匝数对加热系统影响 | 第35-37页 |
·线圈形状对加热系统的影响 | 第37页 |
·电流强度对加热系统的影响 | 第37-38页 |
·电流频率对磁场的影响 | 第38-39页 |
·磁场小结 | 第39-40页 |
·热分析模型建立 | 第40-43页 |
·热分析类型 | 第40-41页 |
·热分析类型 | 第41-43页 |
·主要参数对温度场的影响 | 第43-48页 |
·加热线圈与坩埚相对位置对温度场分布影响 | 第43-45页 |
·不同加热时间对温度场的影响 | 第45-46页 |
·热场小结 | 第46-48页 |
第五章 系统硬件电路设计和软件设计 | 第48-62页 |
·强电电路设计 | 第48-49页 |
·弱电电路设计 | 第49-55页 |
·伺服电机运动控制电路 | 第49-53页 |
·工控机接口电路 | 第53-55页 |
·系统软件设计 | 第55-62页 |
·晶体生长流程分析 | 第55-56页 |
·软件分析 | 第56-62页 |
第六章 课题总结与展望 | 第62-64页 |
·课题总结 | 第62-63页 |
·展望 | 第63-64页 |
致谢 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-68页 |
攻读硕士学位期间发表论文与参与项目 | 第68页 |