| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·自旋电子学简介 | 第11页 |
| ·磁性半导体简介 | 第11-13页 |
| ·磁性半导体研究现状 | 第13-16页 |
| ·SiC基磁性半导体概述 | 第16-24页 |
| ·SiC半导体的基本性质 | 第16-18页 |
| ·SiC基磁性半导体的研究 | 第18-24页 |
| ·本文研究的问题 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 模拟软件理论基础和程序介绍 | 第31-45页 |
| ·密度泛函理论 | 第31-40页 |
| ·多粒子体系的薛定谔方程 | 第31-32页 |
| ·Hartree-Fock方程 | 第32-34页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第34页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第34-36页 |
| ·交换关联泛函 | 第36-37页 |
| ·赝势法和全电子法 | 第37-38页 |
| ·平面波方法 | 第38-40页 |
| ·CASTEP程序包介绍 | 第40-41页 |
| ·CASTEP软件的使用 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 3C-SiC半导中Si空位的电子结构和磁特性 | 第45-63页 |
| ·对3C-SiC本征材料的软件模拟计算 | 第45-46页 |
| ·3C-SiC中的Si空位与铁磁性 | 第46-52页 |
| ·计算体系与参数 | 第47-48页 |
| ·计算结果和讨论 | 第48-52页 |
| ·N掺杂金刚石中空位的电子结构和磁特性 | 第52-56页 |
| ·计算体系和参数 | 第52页 |
| ·计算结果和分析 | 第52-56页 |
| ·N原子对空位电荷态和自旋态的调控 | 第56-59页 |
| ·计算前的理论分析 | 第56-58页 |
| ·结算结果分析 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 Al掺杂4H-SiC的电子结构和磁性 | 第63-73页 |
| ·4H-SiC晶体结构和计算参数 | 第63-64页 |
| ·计算结果和分析 | 第64-70页 |
| ·体系磁矩的来源分析 | 第64-65页 |
| ·V_(Si)-Al_(Si)复合缺陷的磁特性和电子结构 | 第65-70页 |
| ·V_(Si)-Al_(Si)的复合缺陷的耦合 | 第70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 附:自旋玻璃(spin glass-SG) | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 3C-SiC中N-V缺陷的电子结构 | 第73-83页 |
| ·N-V_(Si)缺陷的结构 | 第73-74页 |
| ·计算结果 | 第74-77页 |
| ·中性的氮-空位缺陷,(N-V)~0 | 第74-75页 |
| ·负一价的氮-空位缺陷,(N-V)~(1-) | 第75-77页 |
| ·(N-V)~(1-)缺陷的耦合 | 第77页 |
| ·CASTEP和SIESTA计算结果的比较 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第六章 总结 | 第83-86页 |
| ·本论文的主要内容和结果 | 第83-84页 |
| ·本论文的创新点 | 第84-85页 |
| ·展望 | 第85-86页 |
| 附录 群论在杂化轨道理论中的应用 | 第86-97页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读硕士学位期间撰写的学术论文 | 第98-99页 |
| 附:外文论文 | 第99-116页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第116页 |