| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 1 引言 | 第7-13页 |
| ·多栅MOSFET研究的意义和对象 | 第7-11页 |
| ·研究的方法 | 第11-12页 |
| ·论文的组织结构 | 第12-13页 |
| 2 围栅MOSFET研究的理论基础 | 第13-24页 |
| ·关于半导体器件中的泊松方程的使用 | 第14-16页 |
| ·泊松方程从直角坐标到柱坐标的变换 | 第14-16页 |
| ·围栅MOSFET沟道电势模型 | 第16-17页 |
| ·D.Jimenez的长沟道围栅MOSFET电流模型 | 第17-22页 |
| ·围栅MOSFET基于沟道电势模型的一些物理关系 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 围栅MOSFET的统一的载流子输运模型 | 第24-47页 |
| ·载流子输运理论 | 第24-28页 |
| ·反射系数r(BACKSCATTERING COEFFICIENT) | 第28-30页 |
| ·围栅MOSFET非简并态的源漏电流模型 | 第30-31页 |
| ·围栅MOSFET简并态的源漏电流模型 | 第31-35页 |
| ·载流子流量方程的建立 | 第31-32页 |
| ·径向和角向的量子化的能量本征值 | 第32-33页 |
| ·非简并态源漏电流模型的建立 | 第33-35页 |
| ·模型结果与其他文献或仿真结果对比 | 第35-42页 |
| ·与Jing Wang文献[19]的对比 | 第36-37页 |
| ·与M.Lenzi文献[20]的对比 | 第37-40页 |
| ·与Jimenez文献[6]的比较 | 第40-42页 |
| ·本节小结 | 第42页 |
| ·固定电流法研究阈值电压和DIBL效应 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 4 围栅MOSFET的亚阈值摆幅和闽值电压解析模型 | 第47-61页 |
| ·沟道电势的解析模型 | 第47-48页 |
| ·叠加法求解二维泊松方程 | 第48-52页 |
| ·亚阈值摆幅模型 | 第52-54页 |
| ·亚阈值区电流模型 | 第54-56页 |
| ·阈值电压模型 | 第56-58页 |
| ·漏致势垒降低效应(Drain Induced Barrier Lowering Effect) | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 5 双栅MOSFET的沟道电势和亚阈值摆幅解析模型 | 第61-73页 |
| ·沟道电势解析模型 | 第62-64页 |
| ·亚阈值摆幅 | 第64-70页 |
| ·结果和讨论 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 6 总结 | 第73-76页 |
| ·论文主要内容 | 第73-74页 |
| ·论文的创新点 | 第74页 |
| ·下一步工作展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表或录用论文一览 | 第80-81页 |
| 后记 | 第81-82页 |
