| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-21页 |
| 第1章 绪论 | 第21-43页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·多功能传感器研究现状 | 第21-30页 |
| ·多功能传感器国内研究现状 | 第22-23页 |
| ·多功能传感器国外研究现状 | 第23-30页 |
| ·MOSFET压力传感器研究现状 | 第30-34页 |
| ·MOSFET压力传感器国内研究现状 | 第30-32页 |
| ·MOSFET压力传感器国外研究现状 | 第32-34页 |
| ·MOSFET磁传感器研究现状 | 第34-38页 |
| ·MOSFET磁传感器国内研究现状 | 第35-36页 |
| ·MOSFET磁传感器国外研究现状 | 第36-38页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结研究现状 | 第38-39页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究目的和意义 | 第39-41页 |
| ·研究目的 | 第39-40页 |
| ·研究意义 | 第40-41页 |
| ·论文主要研究内容 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第2章 纳米硅薄膜制备及表征研究 | 第43-61页 |
| ·纳米硅薄膜 | 第43-44页 |
| ·PECVD制备多晶硅薄膜 | 第44-48页 |
| ·XRD表征研究 | 第44-45页 |
| ·Raman光谱研究 | 第45-46页 |
| ·AFM研究 | 第46-48页 |
| ·LPCVD制备纳米硅薄膜 | 第48-60页 |
| ·p型单晶硅表面制备纳米硅薄膜 | 第49-56页 |
| ·SiO_2层上制备纳米硅薄膜 | 第56-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第3章 MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析 | 第61-71页 |
| ·MOSFETs压/磁多功能传感器理论模型 | 第61页 |
| ·MOSFETs压/磁多功能传感器理论分析 | 第61-70页 |
| ·当外加压力P=0、外加磁场B=0 | 第62-64页 |
| ·当外加压力P≠0、外加磁场B=0 | 第64-65页 |
| ·当外加压力P=0、外加磁场B≠0 | 第65-67页 |
| ·当外加压力P≠0、外加磁场B≠0 | 第67-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第4章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计和电源激励方式 | 第71-105页 |
| ·半导体材料压阻效应基本理论 | 第71-79页 |
| ·半导体材料压阻效应 | 第71-73页 |
| ·单晶硅压阻系数 | 第73-79页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构设计 | 第79-101页 |
| ·半导体材料选择 | 第79-80页 |
| ·圆形硅膜和方形硅膜应力分析 | 第80-94页 |
| ·方形硅膜设计 | 第94-96页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFET沟道电阻位置设计 | 第96-101页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏结构电源激励方式 | 第101-103页 |
| ·恒压源供电 | 第102-103页 |
| ·恒流源供电 | 第103页 |
| ·小结 | 第103-105页 |
| 第5章 纳米硅/单昌硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器磁敏结构设计和工作原理 | 第105-111页 |
| ·霍尔效应 | 第105-106页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall器件基本结构及工作原理 | 第106-108页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall器件 | 第106-107页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall器件工作原理 | 第107-108页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall器件串联输出结构及工作原理 | 第108-110页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall器件串联输出结构 | 第108-109页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall器件串联输出工作原理 | 第109-110页 |
| ·小结 | 第110-111页 |
| 第6章 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器基本结构与制作工艺 | 第111-119页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器基本结构 | 第111-112页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器制作工艺 | 第112-118页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器芯片加工工艺 | 第112-116页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器封装结构 | 第116-118页 |
| ·小结 | 第118-119页 |
| 第7章 实验结果与讨论 | 第119-210页 |
| ·多晶纳米硅薄膜压阻特性 | 第119-138页 |
| ·多晶纳米硅薄膜电阻压力传感器基本结构及制作工艺 | 第120-123页 |
| ·多晶纳米硅薄膜电阻压力传感器压敏电阻Ⅰ-Ⅴ特性 | 第123页 |
| ·多晶纳米硅薄膜电阻压力传感器静态特性 | 第123-137页 |
| ·讨论 | 第137-138页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET特性 | 第138-153页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET基本结构 | 第138-139页 |
| ·不同沟道长宽比纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性 | 第139-140页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET温度特性 | 第140-153页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压敏特性研究 | 第153-177页 |
| ·不同沟道长宽比纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压力传感器静态特性 | 第153-166页 |
| ·硅膜厚度为45微米纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压力传感器静态特性 | 第166-175页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET压敏特性实验曲线和理论曲线 | 第175页 |
| ·讨论 | 第175-177页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器磁敏特性 | 第177-205页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall磁传感器不等位电势补偿 | 第177-180页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall磁传感器特性 | 第180-202页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall器件集成化特性 | 第202-203页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结p-MOSFET Hall磁传感器实验和理论磁特性 | 第203-204页 |
| ·讨论 | 第204-205页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器压/磁特性 | 第205-206页 |
| ·小结 | 第206-210页 |
| 第8章 结论 | 第210-215页 |
| 主要创新点 | 第215-216页 |
| 参考文献 | 第216-226页 |
| 致谢 | 第226-227页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文 | 第227-228页 |
| 攻读博士学位期间待发表学术论文 | 第228页 |
| 攻读博士学位期间科研项目 | 第228页 |
| 申请发明专利 | 第228-230页 |
| 详细摘要 | 第230-245页 |
