| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·外延薄膜生长 | 第9-10页 |
| ·外延薄膜晶体中的缺陷 | 第10-11页 |
| ·外延薄膜中失配位错的研究意义 | 第11-12页 |
| ·失配位错的研究现状 | 第12-16页 |
| ·失配位错的理论研究 | 第12-14页 |
| ·失配位错的实验研究 | 第14-15页 |
| ·失配位错的计算机模拟研究 | 第15-16页 |
| ·本文研究内容和目的 | 第16-18页 |
| 第2章 分子动力学模拟方法与外延薄膜的分子动力学模型 | 第18-26页 |
| ·分子动力学模拟方法概述 | 第18-19页 |
| ·分子动力学基本原理 | 第19-20页 |
| ·分子动力学的主要技术 | 第20-22页 |
| ·温度控制 | 第20页 |
| ·压强控制 | 第20-21页 |
| ·时间积分算法 | 第21-22页 |
| ·原子间相互作用势函数(EAM势函数) | 第22-23页 |
| ·外延薄膜的分子动力学模型 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 入射位置对沉积原子诱发失配位错形成作用的影响 | 第26-43页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·实验方法 | 第27-29页 |
| ·模拟方法 | 第27-28页 |
| ·表面特征位置的划分 | 第28-29页 |
| ·失配位错形成的判断 | 第29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-41页 |
| ·铝的晶格常数 | 第29-31页 |
| ·沉积温度和薄膜厚度的选择 | 第31-34页 |
| ·原子入射位置对诱发失配位错形成作用大小的影响 | 第34-36页 |
| ·原子入射位置对失配位错形成过程的影响 | 第36-40页 |
| ·关于沉积原子入射位置影响的分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 入射动能对沉积原子诱发失配位错形成作用的影响 | 第43-53页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验方法 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-51页 |
| ·沉积原子入射动能对诱发失配位错形成作用大小的影响 | 第44-46页 |
| ·入射动能对失配位错成核时正四面体原子团挤出的影响 | 第46-49页 |
| ·失配位错的形成过程 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第61页 |
