| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·一维纳米结构材料 | 第11-15页 |
| ·模板法制备一维纳米材料 | 第11-13页 |
| ·模板法制备纳米线的特点 | 第12页 |
| ·利用模板制备一维纳米材料的方法 | 第12-13页 |
| ·一维纳米结构材料的应用 | 第13-15页 |
| ·纳米半导体材料 | 第15-21页 |
| ·纳米半导体材料的研究现状 | 第15页 |
| ·纳米半导体材料的物理化学特性 | 第15-17页 |
| ·热学性能 | 第15页 |
| ·光谱特性 | 第15-17页 |
| ·纳米半导体材料在光电化学中的应用 | 第17-18页 |
| ·光电化学反应的基本原理 | 第18-21页 |
| ·纳米复合半导体材料的光催化性能 | 第21-23页 |
| ·纳米复合半导体 | 第21页 |
| ·纳米复合半导体材料的光催化性能 | 第21-22页 |
| ·光催化活性的提高 | 第22-23页 |
| ·催化析氢研究现状 | 第23-27页 |
| ·清洁能源—氢能 | 第23-24页 |
| ·制氢的方法 | 第24页 |
| ·催化析氢阴极材料的选择与研究现状 | 第24-27页 |
| ·析氢阴极材料的选择 | 第24-25页 |
| ·较好的析氢催化电极的结构特征 | 第25页 |
| ·析氢材料的研究状况 | 第25-27页 |
| ·本论文研究的内容 | 第27-29页 |
| 第二章 实验及测试方法 | 第29-36页 |
| ·实验方法 | 第29-33页 |
| ·氧化铝（AAO）模板的制备 | 第29-30页 |
| ·电沉积Ni-W-P 合金纳米线实验 | 第30-31页 |
| ·直流电沉积CdS 纳米线实验 | 第31-32页 |
| ·溶胶—凝胶法制备TiO_2 纳米管实验 | 第32页 |
| ·光催化降解甲基橙实验 | 第32-33页 |
| ·热处理实验 | 第33页 |
| ·结构表征与性能测试 | 第33-36页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第33-34页 |
| ·Ni-W-P 纳米线的成分分析 | 第34页 |
| ·紫外可见吸收光谱分析 | 第34页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第34页 |
| ·电催化析氢性能测试 | 第34页 |
| ·电化学交流阻抗测试 | 第34-36页 |
| 第三章 一维纳米半导体材料制备及光催化性能研究 | 第36-65页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验药品和仪器 | 第37-38页 |
| ·CdS 纳米线的制备、表征及性能研究 | 第38-47页 |
| ·CdS 纳米线的制备 | 第38-39页 |
| ·AAO 模板的制备 | 第38-39页 |
| ·直流电沉积法制备CdS 纳米线 | 第39页 |
| ·CdS 纳米线的表征 | 第39-41页 |
| ·CdS 纳米线的形貌表征 | 第39-40页 |
| ·CdS 纳米线的结构表征 | 第40-41页 |
| ·CdS 纳米线的性能测试 | 第41-47页 |
| ·甲基橙溶液的标准曲线 | 第42页 |
| ·催化剂用量对光催化性能的影响 | 第42-43页 |
| ·双氧水用量对光催化性能的影响 | 第43-45页 |
| ·热处理温度对光催化性能的影响 | 第45-46页 |
| ·不同孔径模板制备的CdS 纳米线光催化性能的比较 | 第46-47页 |
| ·TiO_2 纳米管的制备、表征及性能研究 | 第47-53页 |
| ·TiO_2 纳米管的制备 | 第47-48页 |
| ·AAO 模板的制备 | 第47页 |
| ·溶胶—凝胶法制备TiO_2 纳米管 | 第47页 |
| ·超声法制备TiO_2 纳米管 | 第47-48页 |
| ·TiO_2 纳米管的表征 | 第48-50页 |
| ·AAO 模板的形貌表征 | 第48页 |
| ·TiO_2 纳米管的形貌表征 | 第48-50页 |
| ·TiO_2 纳米管的结构表征 | 第50页 |
| ·TiO_2 纳米管的性能测试 | 第50-53页 |
| ·热处理温度对TiO_2 纳米管光催化性能的影响 | 第50-52页 |
| ·不同孔径模板制备的TiO_2 纳米管光催化性能的比较 | 第52-53页 |
| ·CdS/TiO_2 纳米线复合半导体的制备、表征及性能测试 | 第53-57页 |
| ·CdS/TiO_2 纳米线复合半导体的制备 | 第53-54页 |
| ·AAO 模板的制备 | 第53页 |
| ·CdS/TiO_2 纳米线复合半导体的制备 | 第53-54页 |
| ·CdS/TiO_2 纳米线复合半导体的表征 | 第54-55页 |
| ·CdS/TiO_2 纳米线复合半导体的形貌表征 | 第54页 |
| ·CdS/TiO_2 纳米线复合半导体的结构表征 | 第54-55页 |
| ·CdS/TiO_2 纳米线复合半导体的性能测试 | 第55-57页 |
| ·热处理温度对光催化性能的影响 | 第55-56页 |
| ·不同孔径模板制备的CdS/TiO_2 纳米线复合半导体光催化性能的比较 | 第56-57页 |
| ·CdS 纳米线/TiO_2 膜复合半导体材料的制备、表征及性能测试 | 第57-60页 |
| ·CdS 纳米线/TiO_2 膜复合半导体材料的制备 | 第57页 |
| ·CdS 纳米线/TiO_2 膜复合半导体材料的表征 | 第57-58页 |
| ·CdS 纳米线/TiO_2 膜复合半导体材料的性能测试 | 第58-60页 |
| ·热处理温度对光催化性能的影响 | 第58-59页 |
| ·不同孔径模板制备的 CdS 纳米线/TiO_2 膜复合半导体光催化性能的比较 | 第59-60页 |
| ·不同光催化剂的性能比较 | 第60-61页 |
| ·纳米半导体光催化作用机理的讨论 | 第61-65页 |
| 第四章 Ni-W-P 合金纳米线阵列电极的制备及电催化析氢性能 | 第65-77页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·实验部分 | 第66-70页 |
| ·实验药品和仪器 | 第66-67页 |
| ·Ni-W-P 合金膜电极的制备 | 第67页 |
| ·Ni-W-P 合金纳米线阵列的制备 | 第67-69页 |
| ·AAO 模板的制备 | 第67页 |
| ·AAO 电极的制备 | 第67-68页 |
| ·Ni-W-P 纳米线阵列的制备 | 第68-69页 |
| ·Ni-W-P 纳米线阵列的表征及电催化析氢性能的研究 | 第69-70页 |
| ·形貌表征 | 第69-70页 |
| ·Ni-W-P 合金纳米线的成分分析 | 第70页 |
| ·电催化析氢性能 | 第70页 |
| ·电化学交流阻抗测试 | 第70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-77页 |
| ·Ni-W-P 纳米线的形貌表征 | 第70-71页 |
| ·Ni-W-P 合金纳米线的成分分析 | 第71-72页 |
| ·电催化析氢性能 | 第72-73页 |
| ·Ni-W-P 合金电极的交流阻抗谱 | 第73-74页 |
| ·AAO 模板孔内Ni-W-P 合金纳米线阵列的组装过程 | 第74-76页 |
| ·Ni-W-P 合金纳米线阵列电极析氢机理研究 | 第76-77页 |
| 第五章 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
