| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| 第二章 相分离热力学 | 第16-28页 |
| ·相分离热力学条件 | 第16-20页 |
| ·相分离判据和混溶隙 | 第20-21页 |
| ·相分离过程 | 第21-28页 |
| 第三章 InGaN 中相分离的特征 | 第28-51页 |
| ·InGaN中相分离的形式 | 第28-30页 |
| ·InGaN 中相分离的检测 | 第30-35页 |
| ·InGaN外延层中相分离的产生条件 | 第35-36页 |
| ·GaN/InGaN 下InGaN 外延层的临界厚度 | 第36-41页 |
| ·InGaN中相分离的诱发 | 第41-43页 |
| ·相分离对InGaN发光的影响 | 第43-51页 |
| 第四章 InGaN 中相分离的计算模拟 | 第51-67页 |
| ·第一性原理理论基础 | 第51-53页 |
| ·GaN和InN的基本电子结构性质 | 第53-56页 |
| ·InGaN自由能和混溶隙的计算 | 第56-62页 |
| ·相分离晶格结构 | 第62-67页 |
| 第五章 压应力对相分离抑制的实验考察 | 第67-74页 |
| ·高质量InGaN材料生长的困难 | 第67页 |
| ·生长设计 | 第67-71页 |
| ·测试 | 第71-74页 |
| 总结与展望 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 本人硕士期间发表和完成的文章 | 第77页 |