| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-20页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·薄膜制备技术简介 | 第11-14页 |
| ·脉冲激光沉积(PULSED LASER DEPOSITION 简称PLD)技术及其特点 | 第14-17页 |
| ·PLD 技术的发展 | 第17-20页 |
| 2 PLD 技术的机理研究现状 | 第20-36页 |
| ·PLD 技术的机理研究概况 | 第20页 |
| ·PLD 动力学研究的自洽性模型 | 第20-24页 |
| ·考虑蒸发项和含动态吸收率的热源项的烧蚀模型 | 第24-29页 |
| ·等离子体冲击波模型 | 第29-30页 |
| ·薄膜生长的理论模型 | 第30-32页 |
| ·相爆炸的研究 | 第32-34页 |
| ·超短脉冲激光与材料相互作用的研究 | 第34-36页 |
| 3 等离子体屏蔽效应的研究 | 第36-45页 |
| ·等离子体屏蔽效应的物理图像 | 第36-37页 |
| ·考虑等离子体吸收的烧蚀模型 | 第37-39页 |
| ·等离子体线度随时间的演化规律的模拟研究（靶材YBa_2Cu_3O_7 | 第39-40页 |
| ·激光透射率随时间的演化规律（靶材YBa_2Cu_3O_7） | 第40-41页 |
| ·靶材烧蚀深度随激光能量密度的演化规律（靶材YBa_2Cu_3O_7） | 第41-43页 |
| ·靶材烧蚀深度随脉冲数目的变化规律（靶材YBa_2Cu_3O_7） | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 4 关于等离子体屏蔽效应对烧蚀影响的进一步研究 | 第45-55页 |
| ·蒸发效应对等离子体屏蔽效应的影响 | 第45-46页 |
| ·考虑了蒸发效应、屏蔽效应的新烧蚀模型 | 第46-48页 |
| ·靶材表面温度随时间的演化规律（靶材SI） | 第48-50页 |
| ·烧蚀率随时间的变化规律（靶材SI） | 第50-51页 |
| ·烧蚀深度随时间的变化规律（靶材SI） | 第51页 |
| ·激光透射率随时间的演化规律（靶材NI） | 第51-53页 |
| ·烧蚀深度随激光能量密度的变化规律（靶材NI） | 第53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 5 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·结论 | 第55页 |
| ·本文的创新之处 | 第55-56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 附录 1 硕士研究生期间完成论文情况 | 第65页 |
