基于塞贝克效应的气敏传感器的研制

第一章 引言	第1-10页
·半导体气敏传感器的应用	第6-7页
·半导体气敏传感技术的发展	第7-10页
第二章 气敏传感器的基本原理	第10-28页
·气体在半导体材料表面的吸附过程	第10-13页
·吸附与脱附	第10页
·物理吸附	第10-11页
·化学吸附	第11页
·气体吸附的位能曲线	第11-13页
·氧化物半导体微粒表面的催化反应过程	第13-15页
·气体氧化还原反应的位形图	第13-14页
·气敏材料的微观结构对催化性能的影响	第14页
·气敏材料表面上的催化反应过程	第14-15页
·氧化物半导体材料的缺陷理论	第15-20页
·金属氧化物晶体中的点缺陷	第15-17页
·固有原子缺陷	第15-16页
·金属氧化物中的杂质	第16-17页
·点缺陷的形成及其在金属氧化物中的施主或受主作用	第17-18页
·点缺陷理论和质量作用定律	第18-20页
·表面空间电荷层及表面输运	第20-24页
·表面空间电荷层的描述	第20-21页
·半导体材料的表面电导和体电导	第21-23页
·表面散射和表面迁移率	第23-24页
·温差电效应	第24-28页
·半导体内只含有一种载流子的绝对温差电动势	第25-26页
·半导体内含有两种载流子的绝对温差电动势	第26-28页
第三章 实验部分	第28-34页
·气敏材料的制备	第28-29页
·气相反应法	第28页
·用气相反应法制备 WO_3 纳米材料	第28-29页
·元件的制作	第29-30页
·元件的结构	第29页
·实验电路图	第29页
·敏感膜的制作	第29-30页
·元件的气敏性能测试	第30-34页
·气敏性能指标的约定	第30页
·灵敏度随加热功率的变化关系	第30-32页
·灵敏度随气体浓度的变化关系	第32-33页
·响应与恢复	第33页
·稳定性	第33-34页
第四章 机理分析	第34-41页
·WO_3 纳米气敏材料的微观结构分析	第34-39页
·XRD 分析	第34-37页
·扫描电镜分析	第37-38页
·透射电镜分析	第38-39页
·WO3 纳米气敏材料对 NO_2的敏感机理分析	第39-40页
·元件的结构原理分析	第40-41页
结论	第41-42页
参考文献	第42-44页
致谢	第44-45页
个人简历	第45页