| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1．1 氮化硼的结构、性能与应用概况 | 第9-15页 |
| 1．1．1 立方氮化硼（c-BN） | 第10-12页 |
| 1．1．2 六方氮化硼（h-BN） | 第12-13页 |
| 1．1．3 纤锌矿六方氮化硼（w-BN） | 第13-14页 |
| 1．1．4 菱方氮化硼（r-BN） | 第14-15页 |
| 1．1．5 E-BN（Explosion-BN） | 第15页 |
| 1．2 氮化硼薄膜的制备技术方法 | 第15-19页 |
| 1．2．1 前言 | 第15-16页 |
| 1．2．2 化学气相沉积（CVD）法 | 第16-18页 |
| 1．2．3 物理气相沉积（PVD）法 | 第18-19页 |
| 1．3 测试技术 | 第19-22页 |
| 1．3．1 傅立叶变换红外光谱分析（FTIR） | 第19-21页 |
| 1．3．2 X射线衍射分析（XRD） | 第21页 |
| 1．3．3 扫描电子显微分析（SEM） | 第21-22页 |
| 1．3．4 透射电子显微分析（TEM） | 第22页 |
| 1．4 氮化硼薄膜的生长过程探讨 | 第22-24页 |
| 1．5 当前氮化硼研究中存在的主要问题 | 第24-25页 |
| 1．5．1 氮化硼薄膜和衬底的结合问题 | 第24页 |
| 1．5．2 立方氮化硼的生长机理及制备问题 | 第24-25页 |
| 1．6 本课题的提出及研究思路的确立 | 第25-27页 |
| 第二章 设备与实验 | 第27-38页 |
| 2．1 HF-PECVD系统 | 第27-33页 |
| 2．1．1 实验设备的设计与构成 | 第27页 |
| 2．1．2 真空系统 | 第27-29页 |
| 2．1．3 加热辅助系统 | 第29-32页 |
| 2．1．4 射频等离子体辅助系统 | 第32页 |
| 2．1．5 气体流量控制与显示系统 | 第32-33页 |
| 2．2 实验 | 第33-38页 |
| 2．2．1 实验原料 | 第33页 |
| 2．2．2 实验衬底 | 第33-35页 |
| 2．2．3 试样的制备 | 第35页 |
| 2．2．4 试样的测试 | 第35-38页 |
| 第三章 试验结果与分析 | 第38-67页 |
| 3．1 氮化硼薄膜的材料制备 | 第38-57页 |
| 3．1．1 衬底对氮化硼薄膜生长的影响 | 第38-40页 |
| 3．1．2 衬底预处理工艺对生长氮化硼薄膜的影响 | 第40-42页 |
| 3．1．3 沉积温度和射频功率对氮化硼薄膜生长的影响 | 第42-45页 |
| 3．1．4 氢气对氮化硼薄膜生长的影响 | 第45-47页 |
| 3．1．5 生长工艺条件对氮化硼薄膜表面形貌结构的影响 | 第47-49页 |
| 3．1．6 氮化硼薄膜的高分辩电镜图像分析 | 第49-57页 |
| 3．2 BN薄膜材料的磷掺杂及其对氮化硼光学带隙的调节 | 第57-64页 |
| 3．2．1 磷掺杂氮化硼薄膜（BN_xP_（1-x））的制备 | 第57-61页 |
| 3．2．2 磷掺杂氮化硼薄膜（BN_xP_（1-x））的紫外光敏性 | 第61-64页 |
| 3．3 氮化硼及BN_xP_（1-x）薄膜在紫外液晶光阀中应用的理论分析 | 第64-66页 |
| 3．4 衬底预处理促进氮化硼形核的缺陷形核机制 | 第66-67页 |
| 第四章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
