| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-29页 |
| ·研究背景 | 第8-10页 |
| ·全球性的能源问题 | 第8-9页 |
| ·世界各国新能源利用状况 | 第9页 |
| ·太阳能优势与展望 | 第9-10页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第10-14页 |
| ·太阳能电池的半导体材料基础 | 第10-12页 |
| ·太阳能电池发电原理 | 第12-13页 |
| ·评价太阳能电池的重要参数 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池的分类与发展趋势 | 第14-19页 |
| ·太阳能电池的材料要求 | 第14-16页 |
| ·太阳能电池分类 | 第16-18页 |
| ·太阳能电池的发展趋势 | 第18-19页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第19-23页 |
| ·物理气相法 | 第19-20页 |
| ·物理液相法 | 第20-21页 |
| ·化学气相法 | 第21页 |
| ·化学液相法 | 第21-23页 |
| ·CuInSe_2薄膜材料 | 第23-28页 |
| ·CuInSe_2的晶体结构 | 第23-24页 |
| ·CuInSe_2材料的电学性质 | 第24-25页 |
| ·CuInSe_2材料的光学性质 | 第25页 |
| ·CuInSe_2薄膜的制备方法 | 第25-26页 |
| ·CuInSe_2薄膜的应用 | 第26-28页 |
| ·课题的提出与研究内容 | 第28-29页 |
| 第二章 实验与研究方法 | 第29-35页 |
| ·实验所用原料与设备 | 第29-31页 |
| ·实验原料 | 第29-30页 |
| ·实验设备 | 第30-31页 |
| ·实验过程与方案 | 第31-33页 |
| ·实验过程 | 第31页 |
| ·实验方案 | 第31-33页 |
| ·薄膜的性能测试表征 | 第33-35页 |
| ·测试仪器 | 第33页 |
| ·分析方法 | 第33-35页 |
| 第三章 CuInSe_2薄膜近中性电解液电沉积的研究 | 第35-53页 |
| ·CuInSe_2三元电沉积问题 | 第35-36页 |
| ·不同络合电解液及其络合反应 | 第36-38页 |
| ·沉积溶液中电解质的水解反应 | 第36页 |
| ·不同络合剂的络合机理 | 第36-38页 |
| ·不同络合剂对沉积电位的影响 | 第38-45页 |
| ·Cu~(2+)溶液的单扫分析 | 第39-41页 |
| ·In~(3+)溶液的单扫分析 | 第41-43页 |
| ·SeO_2 溶液的单扫分析 | 第43-45页 |
| ·温度对沉积电位的影响 | 第45-49页 |
| ·Cu~(2+)溶液的单扫分析 | 第45-46页 |
| ·In~(3+)溶液的单扫分析 | 第46-47页 |
| ·SeO_2溶液的单扫分析 | 第47-49页 |
| ·浓度对沉积电位的影响 | 第49-50页 |
| ·双电位阶跃电沉积的提出 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 DPSED 电沉工艺CuInSe_2薄膜的研究 | 第53-69页 |
| ·DPSED 技术原理 | 第53-54页 |
| ·DPSED 技术简介 | 第53-54页 |
| ·DPSED 过程电化学反应 | 第54页 |
| ·DPSED 工艺过程 | 第54-57页 |
| ·溶液的配制与实验工艺 | 第54-55页 |
| ·典型的双电位阶跃沉积曲线 | 第55-57页 |
| ·DPSED-CuInSe_2薄膜的表征 | 第57-63页 |
| ·XRD 分析 | 第57-58页 |
| ·XPS 与EDS 分析 | 第58-60页 |
| ·SEM 形貌分析 | 第60-62页 |
| ·CuInSe_2薄膜的DPSED 法成膜机理 | 第62-63页 |
| ·CuInSe_2 薄膜的光学性质 | 第63页 |
| ·DPSED 法沉积CuInSe_2薄膜的优化改性 | 第63-68页 |
| ·阶跃参数的影响 | 第64-65页 |
| ·不同 Cu/In 对薄膜性能的影响 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
