| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 序言 | 第9-19页 |
| ·纳米科技的含义 | 第9页 |
| ·纳米科技的提出和发展 | 第9-11页 |
| ·纳米材料的种类 | 第11-12页 |
| ·一维纳米材料的基本性质 | 第12-13页 |
| ·一维纳米材料的应用 | 第13-14页 |
| ·一维纳米材料的制备方法 | 第14-16页 |
| ·一维纳米材料的研究现状 | 第16-17页 |
| ·本论文的立题依据与主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 纳/微米ZnO同质结器件的制备及电学特性研究 | 第19-27页 |
| ·ZnO半导体材料的性质及其应用 | 第19-20页 |
| ·化学气相沉积方法原理 | 第20页 |
| ·ZnO同质结的生长机理 | 第20-23页 |
| ·实验过程 | 第21-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-23页 |
| ·ZnO同质结器件的制备 | 第23-24页 |
| ·ZnO同质结器件的电学特性研究 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 β--氧化镓纳/微米带的合成及其表征 | 第27-34页 |
| ·纳米氧化镓半导体材料的性质及应用 | 第27页 |
| ·实验过程 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-32页 |
| ·β-Ga_2O_3样品的形貌 | 第28页 |
| ·β-Ga_2O_3的晶体结构 | 第28-30页 |
| ·β-Ga_2O_3的生长机理 | 第30-31页 |
| ·β-Ga_2O_3光致发光性质 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 结论 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-42页 |
| 论文情况 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |