| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·ZnO半导体材料的研究 | 第8-12页 |
| ·ZnO的性质 | 第8-10页 |
| ·ZnO纳米材料的制备方法 | 第10-12页 |
| ·纳米ZnO器件的研究现状及应用前景 | 第12-14页 |
| ·光电器件 | 第12-13页 |
| ·场致发射平板显示器 | 第13页 |
| ·ZnO场效应晶体管 | 第13-14页 |
| ·ZnO纳米带传感器 | 第14页 |
| ·压敏器件 | 第14页 |
| ·ZnO在其他方面的应用 | 第14-15页 |
| ·目前存在的问题 | 第15页 |
| ·本文研究的意义和目的 | 第15-17页 |
| 第二章 ZnO纳米线的制备及特性分析 | 第17-28页 |
| ·制备方法介绍 | 第17-18页 |
| ·气相沉积 | 第17页 |
| ·射频溅射法 | 第17页 |
| ·模板法 | 第17-18页 |
| ·液相法 | 第18页 |
| ·ZnO纳米线的制备 | 第18-19页 |
| ·基底的制备 | 第18-19页 |
| ·蒸镀金属膜 | 第19页 |
| ·ZnO纳米线的制备 | 第19-21页 |
| ·ZnO纳米线生长机理 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射(XRD)原理 | 第22-23页 |
| ·XRD结果 | 第22-23页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)原理 | 第23-24页 |
| ·TEM结果 | 第24页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第24-25页 |
| ·SEM结果 | 第25页 |
| ·光致发光(PL)特性分析 | 第25-28页 |
| ·PL结果 | 第26-28页 |
| 第三章 ZnO纳米线场效应晶体管的制备和IV特性研究 | 第28-40页 |
| ·ZnO纳米线场效应晶体管的制备 | 第28-31页 |
| ·基底的制备 | 第28页 |
| ·热氧化生长SiO_2层 | 第28页 |
| ·蒸镀金属膜 | 第28-29页 |
| ·沟道的制备 | 第29-30页 |
| ·纳米线的分散 | 第30页 |
| ·电极的制备及组装 | 第30-31页 |
| ·线场效应管IV特性测试 | 第31页 |
| ·IV特性曲线研究 | 第31-40页 |
| 第四章 论文总结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 就读硕士期间论文发表情况 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |