半桥驱动芯片的分析与设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| ·功率MOS 管及其驱动技术 | 第8-9页 |
| ·半桥驱动芯片 | 第9-11页 |
| ·半桥结构 | 第9-10页 |
| ·半桥电路的驱动 | 第10-11页 |
| 第二章 芯片的结构及物理实现 | 第11-19页 |
| ·自震荡半桥驱动芯片的基本模块 | 第11-16页 |
| ·芯片外部引脚及典型外围电路 | 第11-12页 |
| ·芯片电路功能模块的划分 | 第12-14页 |
| ·高压电平位移基本结构 | 第14-16页 |
| ·芯片在硅片上的实现 | 第16-19页 |
| 第三章 芯片电路的分析与设计 | 第19-52页 |
| ·基准源及芯片偏置电路 | 第19-25页 |
| ·带隙基准电路的基本原理 | 第19-20页 |
| ·带隙基准电压源的设计 | 第20-23页 |
| ·基准源的缓冲输出及产生恒定偏置电流 | 第23-25页 |
| ·VCC稳压模块和欠压检测模块的设计 | 第25-28页 |
| ·VCC稳压模块 Supply | 第25-27页 |
| ·欠压检测电路的设计 | 第27-28页 |
| ·稳压器(REGULATOR)模块的设计 | 第28-31页 |
| ·Regulator 主电路的分析 | 第28-30页 |
| ·Regulator 的启动 | 第30-31页 |
| ·振荡器、死区时间及脉冲产生电路的设计 | 第31-38页 |
| ·振荡器的设计 | 第32-34页 |
| ·死区时间电路的设计 | 第34-36页 |
| ·脉冲产生电路 | 第36-38页 |
| ·高压电平位移模块的分析与设计 | 第38-42页 |
| ·高压电平位移电路的要求 | 第38-39页 |
| ·流片采用的可靠高压电平位移结构 | 第39-40页 |
| ·LDMOS 管的使用 | 第40-42页 |
| ·高侧电路及高低侧驱动级的分析与设计 | 第42-47页 |
| ·半桥电路的负载 | 第42-44页 |
| ·高侧脉冲滤波器的设计 | 第44-46页 |
| ·高侧二极管及驱动级 | 第46-47页 |
| ·总体电路的仿真 | 第47-52页 |
| ·日光灯的模拟结构 | 第47-49页 |
| ·总体电路的仿真 | 第49-52页 |
| 第四章 版图设计及流片测试结果 | 第52-67页 |
| ·半桥驱动芯片的版图设计 | 第52-55页 |
| ·振荡器电路的版图 | 第53页 |
| ·基准源的版图 | 第53-54页 |
| ·高侧脉冲滤波器的版图 | 第54-55页 |
| ·芯片的总体版图 | 第55页 |
| ·测试结果及分析 | 第55-67页 |
| ·各模块的测试 | 第56-59页 |
| ·工艺结构对芯片性能的影响 | 第59-62页 |
| ·芯片整体性能测试 | 第62-65页 |
| ·第二次流片驱动日光灯的测试 | 第65-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 附录1 | 第72-73页 |
| 附录2 | 第73-74页 |
| 附录3 | 第74-75页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第75-76页 |
