纳米MOS器件低频噪声关键问题研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·低频噪声研究的重要性 | 第10-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-14页 |
| ·本研究的目的和范围 | 第14-15页 |
| ·本文研究内容和方法 | 第15-17页 |
| ·论文组织结构 | 第17-20页 |
| 第二章 纳米MOSFET中的量子效应 | 第20-44页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·栅极漏电流效应 | 第21-30页 |
| ·nMOSFET中的电子隧穿 | 第22-24页 |
| ·pMOSFET中的空穴隧穿 | 第24-25页 |
| ·MOSFET不同区域的隧穿电流 | 第25-28页 |
| ·多晶硅栅电极和高k栅介质对栅极隧穿的影响 | 第28-30页 |
| ·沟道载流子量子化效应 | 第30-35页 |
| ·栅电容减小效应 | 第35-37页 |
| ·阈值电压漂移效应 | 第37-43页 |
| ·长沟MOSFET的V_(TH)模型 | 第38-41页 |
| ·短沟纳米MOSFET的V_(TH)模型 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第三章 纳米MOS器件低频噪声测量与分析方法 | 第44-66页 |
| ·纳米MOS器件低频噪声测量系统 | 第44-45页 |
| ·漏源电流RTS噪声测量与参数提取 | 第45-51页 |
| ·RTS噪声测量 | 第46-48页 |
| ·时间参数提取 | 第48-50页 |
| ·幅度提取 | 第50-51页 |
| ·栅电流低频噪声测量 | 第51-57页 |
| ·栅电流噪声 | 第52-53页 |
| ·栅电流噪声测量系统 | 第53-57页 |
| ·栅电流噪声测量 | 第57页 |
| ·RTS噪声与背景1/f噪声分离 | 第57-64页 |
| ·分离算法 | 第58-60页 |
| ·算法验证 | 第60-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 第四章 纳米MOS器件漏源电流RTS噪声的研究 | 第66-90页 |
| ·纳米MOS器件RTS噪声研究意义 | 第66-68页 |
| ·RTS噪声的产生机制 | 第68-70页 |
| ·RTS噪声幅度的解析模型 | 第70-76页 |
| ·漏源电流RTS噪声测量 | 第71-72页 |
| ·RTS噪声模型与结果分析 | 第72-76页 |
| ·RTS噪声幅度的逾渗模型 | 第76-83页 |
| ·逾渗模型 | 第76-79页 |
| ·蒙特卡罗模拟 | 第79-83页 |
| ·RTS噪声时常数比模型 | 第83-88页 |
| ·时常数比(τ_c/τ_e)模型 | 第84-86页 |
| ·实验结果与分析 | 第86-88页 |
| ·小结 | 第88-90页 |
| 第五章 纳米MOS器件栅电流噪声的研究 | 第90-112页 |
| ·纳米MOS器件栅电流噪声的成分 | 第90-93页 |
| ·纳米MOS器件栅电流1/f噪声 | 第93-102页 |
| ·栅电流1/f~γ噪声测量 | 第93-95页 |
| ·栅电流1/f~γ噪声模型 | 第95-99页 |
| ·纳米MOS器件栅电流1/f噪声应用 | 第99-102页 |
| ·纳米MOS器件栅电流RTS噪声 | 第102-107页 |
| ·纳米MOS器件栅电流RTS噪声应用 | 第107-111页 |
| ·实验 | 第107-109页 |
| ·陷阱参数提取 | 第109-111页 |
| ·小结 | 第111-112页 |
| 第六章 背景1/f噪声的研究 | 第112-130页 |
| ·1/f噪声的起源与模型 | 第112-116页 |
| ·迁移率涨落模型 | 第113-115页 |
| ·载流子数涨落模型 | 第115-116页 |
| ·RTS噪声成分的识别 | 第116-122页 |
| ·噪声NSP图形算法 | 第117-119页 |
| ·噪声NSP实验 | 第119-122页 |
| ·背景1/f噪声和RTS噪声的不同起源 | 第122-125页 |
| ·背景1/f噪声和RTS噪声的起源讨论 | 第125-127页 |
| ·Hooge常数α的应用价值 | 第127-129页 |
| ·小结 | 第129-130页 |
| 第七章 总结 | 第130-132页 |
| 致谢 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-150页 |
| 研究成果 | 第150页 |
