| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第14-34页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 超导材料的发展史 | 第14-17页 |
| 1.3 高温超导材料的研究意义与应用前景 | 第17-19页 |
| 1.4 SmBCO的结构及基板种类 | 第19-23页 |
| 1.4.1 SmBCO的晶体结构 | 第19-21页 |
| 1.4.2 生长SmBCO薄膜的基板种类 | 第21-23页 |
| 1.5 SmBCO薄膜的制备方法 | 第23-27页 |
| 1.6 REBCO高温超导薄膜的研究进展 | 第27-32页 |
| 1.7 研究内容与创新点 | 第32-34页 |
| 1.7.1 研究内容 | 第32-33页 |
| 1.7.2 创新点 | 第33-34页 |
| 第2章 SmBCO薄膜制备与表征技术 | 第34-46页 |
| 2.1 激光CVD系统简介 | 第34-36页 |
| 2.2 原材料 | 第36-39页 |
| 2.2.1 前驱体 | 第36-38页 |
| 2.2.2 气体 | 第38页 |
| 2.2.3 基板 | 第38-39页 |
| 2.3 激光CVD外延生长SmBCO薄膜的技术路线 | 第39-41页 |
| 2.4 薄膜分析与表征技术 | 第41-46页 |
| 2.4.1 结构分析 | 第41-43页 |
| 2.4.2 形貌表征 | 第43-44页 |
| 2.4.3 成分分析 | 第44页 |
| 2.4.4 性能测试 | 第44-46页 |
| 第3章 MOCVD法外延生长SmBCO薄膜 | 第46-69页 |
| 3.1 前驱体挥发比对SmBCO薄膜的影响 | 第47-55页 |
| 3.1.1 不同前驱体摩尔挥发比下制备SmBCO薄膜的工艺条件 | 第48-49页 |
| 3.1.2 前驱体挥发摩尔比对SmBCO薄膜中元素组分的影响 | 第49-50页 |
| 3.1.3 前驱体挥发摩尔比对SmBCO薄膜取向的影响 | 第50-53页 |
| 3.1.4 前驱体挥发摩尔比对SmBCO薄膜形貌的影响 | 第53-55页 |
| 3.2 沉积温度对MOCVD法外延生长SmBCO薄膜的影响 | 第55-61页 |
| 3.2.1 不同沉积温度下制备SmBCO薄膜的工艺条件 | 第55-56页 |
| 3.2.2 沉积温度对SmBCO薄膜取向的影响 | 第56-59页 |
| 3.2.3 沉积温度对SmBCO薄膜微观形貌的影响 | 第59-61页 |
| 3.3 沉积压强对MOCVD法外延生长SmBCO薄膜的影响 | 第61-67页 |
| 3.3.1 不同沉积压强下制备SmBCO外延薄膜的工艺条件 | 第62-63页 |
| 3.3.2 沉积压强对SmBCO外延薄膜取向的影响 | 第63-65页 |
| 3.3.3 沉积压强对SmBCO外延薄膜形貌的影响 | 第65-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第4章 激光CVD在LAO基板上外延生长SmBCO超导薄膜 | 第69-101页 |
| 4.1 沉积温度对LAO基板上外延生长SmBCO薄膜的影响 | 第69-77页 |
| 4.1.1 不同沉积温度下制备SmBCO外延薄膜的工艺参数 | 第70-71页 |
| 4.1.2 沉积温度对SmBCO薄膜取向的影响 | 第71-73页 |
| 4.1.3 沉积温度对SmBCO薄膜微观形貌的影响 | 第73-76页 |
| 4.1.4 沉积温度对SmBCO薄膜临界转变温度的影响 | 第76-77页 |
| 4.2 氧分压对LAO基板上外延生长SmBCO薄膜的影响 | 第77-84页 |
| 4.2.1 不同氧分压下制备SmBCO薄膜的工艺参数 | 第77-78页 |
| 4.2.2 氧分压对SmBCO薄膜取向的影响 | 第78-82页 |
| 4.2.3 氧分压对SmBCO薄膜微观形貌的影响 | 第82-83页 |
| 4.2.4 氧分压对SmBCO薄膜超导性能的影响 | 第83-84页 |
| 4.3 厚度对LAO基板上外延生长SmBCO薄膜的影响 | 第84-95页 |
| 4.3.1 激光CVD制备不同厚度SmBCO薄膜的工艺参数 | 第84-85页 |
| 4.3.2 SmBCO薄膜的厚度控制及沉积速率 | 第85-86页 |
| 4.3.3 厚度对SmBCO薄膜取向的影响 | 第86-90页 |
| 4.3.4 厚度对SmBCO薄膜微观形貌的影响 | 第90-93页 |
| 4.3.5 厚度对SmBCO薄膜超导性能的影响 | 第93-95页 |
| 4.4 激光CVD与MOCVD外延生长SmBCO薄膜的对比 | 第95-99页 |
| 4.4.1 沉积原理的对比 | 第95-97页 |
| 4.4.2 不同沉积方法制备SmBCO薄膜的结构对比 | 第97-99页 |
| 4.5 本章小结 | 第99-101页 |
| 第5章 激光CVD在Hastelloy带材上外延生长SmBCO薄膜 | 第101-114页 |
| 5.1 沉积温度对Hastelloy带材上外延SmBCO薄膜的影响 | 第101-105页 |
| 5.1.1 不同沉积温度下外延生长SmBCO薄膜的工艺条件 | 第101-102页 |
| 5.1.2 沉积温度对Hastelloy带材上SmBCO薄膜取向的影响 | 第102-104页 |
| 5.1.3 沉积温度对Hastelloy带材上SmBCO薄膜微观形貌的影响 | 第104-105页 |
| 5.2 氧分压对Hastelloy带材上生长SmBCO薄膜的影响 | 第105-111页 |
| 5.2.1 不同氧分压Hastelloy带材上生长SmBCO薄膜的工艺条件 | 第105-106页 |
| 5.2.2 氧分压对Hastelloy带材生长SmBCO薄膜取向的影响 | 第106-108页 |
| 5.2.3 氧分压对Hastelloy带材外延生长SmBCO薄膜超导性能的影响 | 第108-111页 |
| 5.3 激光CVD在LAO单晶基板与Hastelloy带材加热原理 | 第111-113页 |
| 5.4 本章小结 | 第113-114页 |
| 第6章 激光CVD制备SmBCO/Sm_2O_3双层膜 | 第114-126页 |
| 6.1 激光CVD制备Sm_2O_3缓冲层薄膜的研究 | 第115-120页 |
| 6.1.1 激光CVD制备Sm_2O_3缓冲层的工艺条件 | 第116-117页 |
| 6.1.2 沉积温度对Sm_2O_3缓冲层的影响 | 第117-120页 |
| 6.2 激光CVD制备SmBCO/Sm_2O_3双层膜的研究 | 第120-125页 |
| 6.2.1 激光CVD制备SmBCO/Sm_2O_3双层膜的工艺条件 | 第120-122页 |
| 6.2.2 沉积温度对SmBCO/Sm_2O_3双层膜薄膜取向的影响 | 第122-124页 |
| 6.2.3 沉积温度对SmBCO/Sm_2O_3双层膜薄膜形貌的影响 | 第124-125页 |
| 6.3 本章小结 | 第125-126页 |
| 第7章 结论及展望 | 第126-129页 |
| 7.1 结论 | 第126-128页 |
| 7.2 展望 | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-142页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第142-143页 |
