| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-38页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 SiC概述 | 第12-18页 |
| 1.2.1 SiC的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.2.2 SiC的晶体结构与性能 | 第13-16页 |
| 1.2.3 SiC多型体的生成温度范围 | 第16-17页 |
| 1.2.4 SiC的应用 | 第17-18页 |
| 1.3 传统CVD法制备SiC薄膜 | 第18-26页 |
| 1.3.1 热壁式和冷壁式CVD法制备SiC薄膜 | 第20-22页 |
| 1.3.2 热丝CVD法制备SiC薄膜 | 第22-23页 |
| 1.3.3 低压CVD法制备SiC薄膜 | 第23-24页 |
| 1.3.4 等离子体增强CVD法制备SiC薄膜 | 第24-26页 |
| 1.4 激光CVD法制备SiC薄膜 | 第26-33页 |
| 1.4.1 激光的应用 | 第26-28页 |
| 1.4.2 激光CVD法的基本原理 | 第28-30页 |
| 1.4.3 激光CVD法制备SiC薄膜的优点 | 第30-33页 |
| 1.5 沉积参数对CVD法制备SiC薄膜的影响 | 第33-36页 |
| 1.5.1 沉积温度对制备SiC薄膜的影响 | 第33-34页 |
| 1.5.2 沉积压力对制备SiC薄膜的影响 | 第34-35页 |
| 1.5.3 原料碳硅比对制备SiC薄膜的影响 | 第35-36页 |
| 1.6 本论文研究思路及技术路线 | 第36-38页 |
| 第2章 3C-SiC厚膜的制备与表征 | 第38-51页 |
| 2.1 实验的原料及其参数 | 第38-42页 |
| 2.1.1 前驱体的选取 | 第38-40页 |
| 2.1.2 基板的选取 | 第40-41页 |
| 2.1.3 激光器的选取 | 第41-42页 |
| 2.2 卤化物激光CVD法设备 | 第42-45页 |
| 2.3 3C-SiC厚膜沉积工艺条件、流程及技术路线 | 第45-47页 |
| 2.4 3C-SiC厚膜的表征 | 第47-51页 |
| 2.4.1 X射线衍射分析 | 第47-48页 |
| 2.4.2 拉曼光谱分析 | 第48-49页 |
| 2.4.3 显微结构分析 | 第49页 |
| 2.4.4 密度和沉积速率测定 | 第49页 |
| 2.4.5 硬度和透过率测定 | 第49页 |
| 2.4.6 电阻率的测定 | 第49-51页 |
| 第3章 沉积参数对卤化物激光CVD法制备3C-SiC厚膜的影响 | 第51-76页 |
| 3.1 碳硅比（R_(C/Si)）对制备3C-SiC厚膜影响 | 第51-60页 |
| 3.1.1 碳硅比（R_(C/Si)）对3C-SiC厚膜择优取向的影响 | 第52-53页 |
| 3.1.2 碳硅比（R_(C/Si)）对3C-SiC厚膜形貌和物相组成的影响 | 第53-57页 |
| 3.1.3 碳硅比（R_(C/Si)）对3C-SiC厚膜密度的影响 | 第57-58页 |
| 3.1.4 碳硅比（R_(C/Si)）对3C-SiC厚膜硬度和沉积速率的影响 | 第58-60页 |
| 3.2 沉积温度和压力对制备3C-SiC厚膜的影响 | 第60-74页 |
| 3.2.1 沉积温度和压力对3C-SiC厚膜择优取向的影响 | 第61-65页 |
| 3.2.2 沉积温度和压力对3C-SiC厚膜形貌的影响 | 第65-67页 |
| 3.2.3 沉积温度和压力对3C-SiC厚膜沉积速率的影响 | 第67-70页 |
| 3.2.4 Si前驱体分压对3C-SiC厚膜沉积反应活化能的影响 | 第70-72页 |
| 3.2.5 沉积温度和压力对3C-SiC厚膜硬度的影响 | 第72-74页 |
| 3.3 本章小结 | 第74-76页 |
| 第4章 卤化物激光CVD法快速制备透明3C-SiC厚膜 | 第76-92页 |
| 4.1 沉积压力对透明3C-SiC厚膜透过率的影响 | 第77-79页 |
| 4.2 沉积压力对透明3C-SiC厚膜择优取向的影响 | 第79-81页 |
| 4.3 沉积压力对透明3C-SiC厚膜断面形貌的影响 | 第81-83页 |
| 4.4 沉积压力对透明3C-SiC厚膜沉积速率的影响 | 第83-84页 |
| 4.5 择优取向与面缺陷密度对3C-SiC厚膜透过率的影响机制 | 第84-89页 |
| 4.6 沉积压力对透明3C-SiC厚膜晶粒尺寸和硬度的影响 | 第89-90页 |
| 4.7 本章小结 | 第90-92页 |
| 第5章 卤化物红外和紫外混合激光CVD法快速制备微晶3C-SiC厚膜 | 第92-107页 |
| 5.1 红外和紫外混合激光沉积对3C-SiC厚膜择优取向的影响 | 第94-97页 |
| 5.2 红外和紫外混合激光沉积对3C-SiC厚膜形貌的影响 | 第97-100页 |
| 5.3 红外和紫外混合激光沉积对3C-SiC厚膜晶粒尺寸的影响 | 第100-103页 |
| 5.4 红外和紫外混合激光沉积对3C-SiC厚膜硬度的影响 | 第103-104页 |
| 5.5 红外和紫外混合激光沉积对3C-SiC厚膜电阻率和沉积速率的影响 | 第104-106页 |
| 5.6 本章小结 | 第106-107页 |
| 第6章 全文总结与展望 | 第107-110页 |
| 6.1 全文总结 | 第107-108页 |
| 6.2 本文创新点 | 第108页 |
| 6.3 展望 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-120页 |
| 附录 博士期间发表的论文 | 第120页 |
