预结构化石墨烯生长工艺的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 研究背景及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯的简介 | 第11-15页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构和性能 | 第11-14页 |
| 1.2.2 石墨烯的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 预结构化石墨烯生长的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 石墨烯的制备、转移及表征方法 | 第20-34页 |
| 2.1 石墨烯的制备方法 | 第20-26页 |
| 2.1.1 机械剥离法 | 第20-21页 |
| 2.1.2 外延生长法 | 第21页 |
| 2.1.3 氧化还原法 | 第21-22页 |
| 2.1.4 化学气相沉积法 | 第22-26页 |
| 2.2 石墨烯的表征方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第27页 |
| 2.2.3 拉曼光谱仪 | 第27-28页 |
| 2.2.4 其他表征方法 | 第28页 |
| 2.3 低温CVD法石墨烯的制备及表征 | 第28-32页 |
| 2.3.1 实验设备 | 第29页 |
| 2.3.2 铜箔上生长石墨烯 | 第29-31页 |
| 2.3.3 石墨烯的转移及表征 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 直立环状石墨烯制备的研究 | 第34-44页 |
| 3.1 凹洞阵列基底设计 | 第34-35页 |
| 3.2 凹洞基底制备过程 | 第35-39页 |
| 3.2.1 磁控溅射铜和钛 | 第35-36页 |
| 3.2.2 光刻 | 第36-37页 |
| 3.2.3 铜和钛的蚀刻 | 第37-39页 |
| 3.3 直立环状石墨烯的制备 | 第39-43页 |
| 3.3.1 钛膜上不生长石墨烯的实验验证 | 第39-40页 |
| 3.3.2 铜膜上CVD法生长石墨烯 | 第40页 |
| 3.3.3 低温CVD法制备直立环状石墨烯 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 桥状石墨烯的制备研究 | 第44-54页 |
| 4.1 平面桥状基底设计 | 第44-45页 |
| 4.2 平面桥状基底制备 | 第45-46页 |
| 4.3 低温CVD法制备桥状石墨烯 | 第46-52页 |
| 4.3.1 湿法转移 | 第47页 |
| 4.3.2 干法转移 | 第47-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 工作总结 | 第54-55页 |
| 5.2 工作展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 作者简介 | 第64页 |
