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MEMS中氮化硅电介质的空间应用可靠性研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-25页
    1.1 MEMS概述第9-10页
    1.2 MEMS器件的空间应用第10-14页
        1.2.1 MEMS传感器第10-12页
        1.2.2 MEMS执行器第12-13页
        1.2.3 MEMS光学器件第13-14页
        1.2.4 生物MEMS第14页
    1.3 MEMS空间辐射效应第14-17页
        1.3.1 空间辐射环境第14-15页
        1.3.2 空间辐射基本损伤机理第15-17页
    1.4 MEMS中电介质的空间可靠性研究现状第17-23页
        1.4.1 MEMS加速度计第18-19页
        1.4.2 MEMS梳齿驱动器第19-20页
        1.4.3 RFMEMS开关第20-23页
    1.5 论文组织结构第23-25页
第二章 电容式RFMEMS开关及电介质注电效应第25-31页
    2.1 RFMEMS开关工作原理第25-27页
        2.1.1 电容式RFMEMS开关第25-26页
        2.1.2 接触式RFMEMS开关第26-27页
    2.2 电容式RFMEMS开关失效机理第27-28页
        2.2.1 开关加工材料的机械特性失效第27页
        2.2.2 封装效应第27页
        2.2.3 介质层电荷注入效应第27-28页
        2.2.4 功率处理能力第28页
    2.3 电容式RFMEMS开关电介质电荷注入效应第28-30页
        2.3.1 电介质电导率第28页
        2.3.2 电介质中的空间电荷第28-29页
        2.3.3 电极注入第29-30页
    2.4 本章小节第30-31页
第三章 MEMS中电介质空间可靠性研究样品制备与实验方案第31-39页
    3.1 实验方案第31页
    3.2 实验准备第31-36页
        3.2.1 测试样品设计第31-32页
        3.2.2 测试样品加工第32-36页
    3.3 γ辐照实验第36-37页
    3.4 MIM结构参数测量第37-38页
    3.5 本章小节第38-39页
第四章 MEMS中电介质的空间辐照效应第39-51页
    4.1 MIM电容电介质导电机制第39-42页
        4.1.1 MIM电容电介质薄膜的载流子输运第39页
        4.1.2 外加电场下的典型I-V特性曲线第39-42页
    4.2 ~(60)Coγ辐照实验结果第42-45页
        4.2.1 0V至5V电压范围内~(60)Coγ辐照实验结果第42-43页
        4.2.2 5V至10V电压范围内~(60)Coγ辐照实验结果第43-44页
        4.2.3 10V至15V电压范围内~(60)Coγ辐照实验结果第44-45页
    4.3 ~(60)Coγ辐照实验结果讨论第45-50页
        4.3.1 电介质薄膜缺陷模型第45-46页
        4.3.2 γ辐照效应第46-50页
    4.4 本章小节第50-51页
第五章 总结与展望第51-53页
    5.1 论文工作总结第51页
    5.2 论文工作展望第51-53页
致谢第53-55页
参考文献第55-59页
作者简介第59页

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