| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 铁电薄膜材料 | 第10-18页 |
| 1.1.1 铁电材料概述 | 第10-12页 |
| 1.1.2 铁电材料的分类 | 第12-16页 |
| 1.1.3 铁电薄膜的发展现状及应用 | 第16-18页 |
| 1.2 阻变薄膜材料 | 第18-28页 |
| 1.2.1 阻变存储器及阻变材料概述 | 第18-24页 |
| 1.2.2 阻变存储器的电阻转变原理 | 第24-26页 |
| 1.2.3 阻变薄膜的研究现状 | 第26-28页 |
| 1.3 多值存储特性 | 第28-31页 |
| 1.3.1 多值存储概述 | 第28页 |
| 1.3.2 多值存储的研究现状 | 第28-31页 |
| 1.4 论文选题依据及主要内容 | 第31-33页 |
| 第二章 薄膜材料的制备及表征方法 | 第33-42页 |
| 2.1 薄膜材料的制备方法 | 第33-36页 |
| 2.1.1 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 | 第33-34页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积(PLD)法 | 第34-35页 |
| 2.1.3 磁控溅射(Magnetron Sputtering)法 | 第35-36页 |
| 2.1.4 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法 | 第36页 |
| 2.2 微观结构表征方法 | 第36-39页 |
| 2.2.1 膜厚仪(FTM) | 第36-37页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第37-38页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第38页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第38-39页 |
| 2.3 电学性能表征方法 | 第39-41页 |
| 2.3.1 铁电分析仪 | 第39-40页 |
| 2.3.2 半导体参数分析仪 | 第40页 |
| 2.3.3 薄膜的高温测试平台 | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 SBT薄膜的制备及微结构表征 | 第42-53页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 SrBi_2Ta_2O_9薄膜的制备 | 第42-48页 |
| 3.2.1 实验所需的仪器设备和药品 | 第42-43页 |
| 3.2.2 前驱体溶液配制 | 第43-45页 |
| 3.2.3 匀胶与热处理 | 第45-48页 |
| 3.3 SrBi_2Ta_2O_9形貌与结构表征 | 第48-51页 |
| 3.3.1 SEM表征 | 第49-50页 |
| 3.3.2 AFM表征 | 第50-51页 |
| 3.3.3 XRD表征 | 第51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 SBT薄膜的铁电、阻变性能 | 第53-63页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt电容结构的制备 | 第53-54页 |
| 4.3 SBT薄膜铁电性能测试 | 第54-58页 |
| 4.4 SBT薄膜阻变性能测试 | 第58-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 SBT薄膜在多值存储器件、场效应晶体管中的应用 | 第63-71页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 基于Pt/SBT/Pt器件的多值存储 | 第63-65页 |
| 5.3 基于Pt/SBT/Pt器件的多值存储机理 | 第65-67页 |
| 5.4 SBT薄膜在场效应晶体管中的应用 | 第67-70页 |
| 5.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 论文总结 | 第71-72页 |
| 6.2 工作展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 附录A 个人简历 | 第79-80页 |
| 附录B 攻读硕士学位期间发表论文与参加的会议目录 | 第80页 |
