| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-12页 |
| 1.1.1 Al_xGa_(1-x)As的基本特性及应用 | 第9-10页 |
| 1.1.2 半导体表面态及其对半导体器件的影响 | 第10-12页 |
| 1.2 GaAs基材料的研究现状 | 第12-21页 |
| 1.2.1 Al_xGaA_(1-x)As材料的研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.2 GaAs基材料表面光电特性的研究现状 | 第16-21页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 计算方法和理论基础 | 第23-30页 |
| 2.1 第一性原理 | 第23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-27页 |
| 2.2.1 Born-Oppenheimer(BO) | 第24页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock | 第24-25页 |
| 2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第25-26页 |
| 2.2.4 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.3 交换关联能 | 第27-28页 |
| 2.3.1 局域自旋密度近似(LSDA) | 第27-28页 |
| 2.3.2 广义梯度近似(GGA) | 第28页 |
| 2.4 计算软件介绍 | 第28-30页 |
| 第三章 Al_(0.5)Ga_(0.5)As及其(001)β2(2×4)表面的结构特性 | 第30-37页 |
| 3.1 计算方法 | 第30页 |
| 3.2 Al_(0.5)Ga_(0.5)As的电学特性 | 第30-31页 |
| 3.2.1 Al_(0.5)Ga_(0.5)As的原子结构 | 第30-31页 |
| 3.2.2 Al_(0.5)Ga_(0.5)As的电学特性 | 第31页 |
| 3.3 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的电学特性 | 第31-34页 |
| 3.3.1 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的原子结构 | 第31-32页 |
| 3.3.2 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的电学特性 | 第32-34页 |
| 3.4 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的光学特性 | 第34-36页 |
| 3.4.1 吸收光谱 | 第34-35页 |
| 3.4.2 反射光谱 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)表面氧化特性 | 第37-45页 |
| 4.1 计算方法 | 第37页 |
| 4.2 氧化的Al_(0.5)Ga_(0.4)As(001)β2(2×4)表面的电学特性 | 第37-42页 |
| 4.2.1 一个氧原子氧化的情况 | 第38-40页 |
| 4.2.2 两个氧原子氧化的情况 | 第40-42页 |
| 4.3 氧化的A1_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)表面的光学特性 | 第42-44页 |
| 4.3.1 吸收光谱 | 第42-43页 |
| 4.3.2 反射光谱 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 钝化Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的表面特性 | 第45-55页 |
| 5.1 计算方法 | 第45页 |
| 5.2 对氧化的Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)进行S钝化 | 第45-47页 |
| 5.2.1 计算模型 | 第45-46页 |
| 5.2.2 S钝化表面的电学特性 | 第46-47页 |
| 5.3 对氧化的Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)进行N钝化 | 第47-53页 |
| 5.3.1 计算模型 | 第47-48页 |
| 5.3.2 N钝化表面的电学特性 | 第48-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 硕士期间的学术成果 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
