首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

GaAs基合金材料氧吸附问题的第一性原理研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 绪论第9-23页
    1.1 选题背景及意义第9-12页
        1.1.1 Al_xGa_(1-x)As的基本特性及应用第9-10页
        1.1.2 半导体表面态及其对半导体器件的影响第10-12页
    1.2 GaAs基材料的研究现状第12-21页
        1.2.1 Al_xGaA_(1-x)As材料的研究现状第12-16页
        1.2.2 GaAs基材料表面光电特性的研究现状第16-21页
    1.3 本论文的主要研究内容第21-23页
第二章 计算方法和理论基础第23-30页
    2.1 第一性原理第23页
    2.2 密度泛函理论第23-27页
        2.2.1 Born-Oppenheimer(BO)第24页
        2.2.2 Hartree-Fock第24-25页
        2.2.3 Hohenberg-Kohn定理第25-26页
        2.2.4 Kohn-Sham方程第26-27页
    2.3 交换关联能第27-28页
        2.3.1 局域自旋密度近似(LSDA)第27-28页
        2.3.2 广义梯度近似(GGA)第28页
    2.4 计算软件介绍第28-30页
第三章 Al_(0.5)Ga_(0.5)As及其(001)β2(2×4)表面的结构特性第30-37页
    3.1 计算方法第30页
    3.2 Al_(0.5)Ga_(0.5)As的电学特性第30-31页
        3.2.1 Al_(0.5)Ga_(0.5)As的原子结构第30-31页
        3.2.2 Al_(0.5)Ga_(0.5)As的电学特性第31页
    3.3 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的电学特性第31-34页
        3.3.1 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的原子结构第31-32页
        3.3.2 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的电学特性第32-34页
    3.4 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的光学特性第34-36页
        3.4.1 吸收光谱第34-35页
        3.4.2 反射光谱第35-36页
    3.5 本章小结第36-37页
第四章 Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)表面氧化特性第37-45页
    4.1 计算方法第37页
    4.2 氧化的Al_(0.5)Ga_(0.4)As(001)β2(2×4)表面的电学特性第37-42页
        4.2.1 一个氧原子氧化的情况第38-40页
        4.2.2 两个氧原子氧化的情况第40-42页
    4.3 氧化的A1_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)表面的光学特性第42-44页
        4.3.1 吸收光谱第42-43页
        4.3.2 反射光谱第43-44页
    4.4 本章小结第44-45页
第五章 钝化Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)的表面特性第45-55页
    5.1 计算方法第45页
    5.2 对氧化的Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)进行S钝化第45-47页
        5.2.1 计算模型第45-46页
        5.2.2 S钝化表面的电学特性第46-47页
    5.3 对氧化的Al_(0.5)Ga_(0.5)As(001)β2(2×4)进行N钝化第47-53页
        5.3.1 计算模型第47-48页
        5.3.2 N钝化表面的电学特性第48-53页
    5.4 本章小结第53-55页
第六章 结论与展望第55-57页
致谢第57-58页
硕士期间的学术成果第58-59页
参考文献第59-61页

论文共61页,点击 下载论文
上一篇:基于丝网印刷与原位体积加成制备柔性导电电路的研究
下一篇:无催化剂制备氧化锌纳米线及其光电器件性能的研究