基于第一性原理的钛酸铋铁电性能及HfO2/Si异质结性能的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 铁电材料及缓冲层国内外研究现状 | 第10-16页 |
| 1.2.1 钛酸铋材料国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 缓冲层国内外研究 | 第13-16页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第2章 计算方法与理论基础 | 第17-21页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 密度泛函理论简介 | 第17-19页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第18页 |
| 2.2.3 交换相关能近似 | 第18页 |
| 2.2.4 自洽计算过程 | 第18-19页 |
| 2.3 第一性原理方法概述 | 第19-20页 |
| 2.4 Materials Studio软件介绍 | 第20页 |
| 2.5 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 钛酸铋薄膜的制备及理论研究 | 第21-39页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 BNT薄膜的制备及化学性能表征 | 第21-27页 |
| 3.2.1 BNT薄膜的制备 | 第21-24页 |
| 3.2.2 BNT薄膜的化学表征 | 第24-27页 |
| 3.3 BNT薄膜的电学性能研究 | 第27-30页 |
| 3.3.1 BNT薄膜的铁电性能研究 | 第27-28页 |
| 3.3.2 BNT薄膜的漏电流性能研究 | 第28-29页 |
| 3.3.3 BNT薄膜的疲劳性能研究 | 第29-30页 |
| 3.4 钛酸铋的第一性原理研究 | 第30-36页 |
| 3.4.1 钛酸铋体结构 | 第30-31页 |
| 3.4.2 钛酸铋体结构电子特性 | 第31-36页 |
| 3.5 掺杂BIT薄膜的电子特性研究 | 第36-37页 |
| 3.6 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 HfO_2/Si异质结构电子特性研究 | 第39-60页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 HfO_2结构及电子特性研究 | 第39-44页 |
| 4.2.1 HfO_2体结构 | 第39-41页 |
| 4.2.2 HfO_2体结构的电子特性研究 | 第41-44页 |
| 4.3 HfO_2表面结构及电子特性研究 | 第44-48页 |
| 4.3.1 HfO_2表面结构 | 第44-46页 |
| 4.3.2 HfO_2表面结构的电子特性研究 | 第46-48页 |
| 4.4 硅体结构及电子特性研究 | 第48-49页 |
| 4.5 硅表面结构及电子特性研究 | 第49-51页 |
| 4.6 二氧化铪/硅异质结构 | 第51-54页 |
| 4.6.1 HfO_2/Si界面的原子结构 | 第51-54页 |
| 4.7 HfO_2/Si异质结构的电子特性 | 第54-59页 |
| 4.8 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
