| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 半导体功率器件的发展历程 | 第13-18页 |
| 1.2 国内外 AlGaN/GaN HEMT 建模领域的发展 | 第18-22页 |
| 1.3 GaN 功率器件模型存在的问题 | 第22页 |
| 1.4 本篇论文的研究任务及意义 | 第22-25页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 材料特性及工作机理 | 第25-47页 |
| 2.1 GaN 材料特性及生长工艺 | 第25-32页 |
| 2.1.1 GaN 材料的晶体结构和单晶生长技术 | 第25-27页 |
| 2.1.2 外延层生长技术 | 第27-31页 |
| 2.1.3 欧姆接触与肖特基接触 | 第31-32页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT 器件结构特性和导电性能 | 第32-41页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN 异质结的二维电子气 | 第32-35页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT 的导电机理和主要参数 | 第35-37页 |
| 2.2.3 AlGaN/GaN HEMT 功率器件的结构改进技术 | 第37-41页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT 功率器件自热效应 | 第41-46页 |
| 2.3.1 温度对载流子迁移率的影响 | 第42-43页 |
| 2.3.2 温度对热导率和漏源电阻的影响 | 第43-44页 |
| 2.3.3 温度对漏源电流的影响 | 第44-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 等效电路模型研究 | 第47-76页 |
| 3.1 等效电路模型简述 | 第47-49页 |
| 3.1.1 等效电路模型与器件功能区的对应关系 | 第47-48页 |
| 3.1.2 等效电路模型的建模步骤 | 第48-49页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT 小信号等效电路 | 第49-60页 |
| 3.2.1 小信号等效电路模型中主要等效元件的意义 | 第50-51页 |
| 3.2.2 小信号等效电路模型中等效元件数值的提取方法 | 第51-56页 |
| 3.2.3 改进的小信号等效电路参数提取方法 | 第56-60页 |
| 3.3 AlGaN/GaN HEMT 大信号等效电路 | 第60-74页 |
| 3.3.1 常见大信号等效电路模型 | 第61-64页 |
| 3.3.2 改进的非线性电流模型 | 第64-67页 |
| 3.3.3 改进的非线性电容模型 | 第67-69页 |
| 3.3.4 改进的非线性电路模型对器件输出特性的预测 | 第69-70页 |
| 3.3.5 含温度分布效应的电路模型对器件输出特性的预测 | 第70-74页 |
| 3.4 本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 改进的 KNN 算法在 GaN 功率器件建模中的应用 | 第76-95页 |
| 4.1 KNN 算法理论基础 | 第76-82页 |
| 4.1.1 KNN 算法的概率论数学基础 | 第76-79页 |
| 4.1.2 KNN 算法的计算步骤 | 第79-81页 |
| 4.1.3 KNN 算法的优点和缺点 | 第81-82页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT 功率器件黑盒子表格模型 | 第82-93页 |
| 4.2.1 根据功率器件特点对 KNN 算法进行的改进 | 第83-85页 |
| 4.2.2 非线性参量表格模型的建立 | 第85-89页 |
| 4.2.3 非线性参量的预测 | 第89-90页 |
| 4.2.4 表格模型对器件输出特性的预测 | 第90-93页 |
| 4.3 本章小结 | 第93-95页 |
| 第五章 X 参数提取 Volterra 级数用于放大器建模 | 第95-116页 |
| 5.1 X 参数简介 | 第95-102页 |
| 5.1.1 X 参数的理论基础和计算方法 | 第95-99页 |
| 5.1.2 X 参数的仿真测试和提取 | 第99-102页 |
| 5.2 Volterra 级数理论基础 | 第102-106页 |
| 5.2.1 Volterra 级数的时域表达式 | 第103-105页 |
| 5.2.2 Volterra 级数的频域表达式 | 第105-106页 |
| 5.3 X 参数提取 Volterra 级数的方法 | 第106-110页 |
| 5.4 放大器输出特性预测 | 第110-115页 |
| 5.5 本章小结 | 第115-116页 |
| 第六章 等效电路模型为基础的 GaN 高效率功率放大器设计 | 第116-138页 |
| 6.1 功率放大器工作类型简介 | 第116-121页 |
| 6.1.1 基本工作类型 | 第117-118页 |
| 6.1.2 高效率工作类型 | 第118-121页 |
| 6.2 AB 类功率放大器的设计与测试 | 第121-128页 |
| 6.2.1 50W 功率器件非线性 SDD 模型 | 第121-122页 |
| 6.2.2 AB 类功率放大器的设计 | 第122-126页 |
| 6.2.3 AB 类功率放大模块的测试与分析 | 第126-128页 |
| 6.3 基于谐波调制技术的功率放大器设计与测试 | 第128-136页 |
| 6.3.1 10W 功率器件非线性 SDD 模型 | 第128-129页 |
| 6.3.2 基于谐波调制技术的功率放大电路设计 | 第129-135页 |
| 6.3.3 基于谐波调制技术的功率放大模块的测试与分析 | 第135-136页 |
| 6.4 本章小结 | 第136-138页 |
| 第七章 总结与展望 | 第138-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-155页 |
| 读博期间发表的论文 | 第155-157页 |
| 附录 | 第157-159页 |
