| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 氧化物半导体薄膜的分类及应用 | 第12-16页 |
| 1.3 ZnSnO_3半导体的基本概述 | 第16-18页 |
| 1.4 ZnGeO_3半导体的基本概述 | 第18-19页 |
| 1.5 论文的主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜制备方法及表征方法介绍 | 第21-27页 |
| 2.1 多元氧化物半导体薄膜的常用制备方法 | 第21-22页 |
| 2.2 分子束外延设备简介 | 第22-24页 |
| 2.3 薄膜结构表征及性能测试方法简介 | 第24-27页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第24-25页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS） | 第25页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 （AFM） | 第25-26页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱（XPS） | 第26页 |
| 2.3.5 紫外-可见光透射谱 | 第26页 |
| 2.3.6 电流-电压（I-V）特性测试 | 第26-27页 |
| 第三章 ZnSnO_3薄膜的制备及其性能研究 | 第27-44页 |
| 3.1 薄膜晶体管的基本结构 | 第27-28页 |
| 3.2 薄膜晶体管的基本工作原理 | 第28页 |
| 3.3 薄膜晶体管的主要电学参数 | 第28-30页 |
| 3.4 ZnSnO_3薄膜的制备 | 第30页 |
| 3.5 ZnSnO_3薄膜的表征 | 第30-35页 |
| 3.5.1 不同射频源功率下薄膜的XRD测试 | 第31页 |
| 3.5.2 射频源功率对薄膜表面形貌的影响 | 第31-33页 |
| 3.5.3 射频源功率对薄膜光学带隙的影响 | 第33-35页 |
| 3.6 ZnSnO_3薄膜的XPS测试 | 第35-38页 |
| 3.7 ZnSnO_3薄膜晶体管的制备与研究 | 第38-43页 |
| 3.7.1 Al电极的TLM模型接触电阻测试 | 第38-40页 |
| 3.7.2 ZnSnO_3薄膜晶体管的制备 | 第40-41页 |
| 3.7.3 ZnSnO_3薄膜晶体管的电学性能测试 | 第41-43页 |
| 3.8 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的研究 | 第44-63页 |
| 4.1 ZnGeO_3薄膜的制备及性能表征 | 第44-49页 |
| 4.2 ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的制备与研究 | 第49-58页 |
| 4.2.1 ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的制备 | 第49-51页 |
| 4.2.2 ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的电学性能测试 | 第51-58页 |
| 4.3 ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的光电特性 | 第58-61页 |
| 4.4 小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
