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多元氧化物半导体薄膜分子束外延生长及性能研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第11-21页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 氧化物半导体薄膜的分类及应用第12-16页
    1.3 ZnSnO_3半导体的基本概述第16-18页
    1.4 ZnGeO_3半导体的基本概述第18-19页
    1.5 论文的主要内容第19-21页
第二章 薄膜制备方法及表征方法介绍第21-27页
    2.1 多元氧化物半导体薄膜的常用制备方法第21-22页
    2.2 分子束外延设备简介第22-24页
    2.3 薄膜结构表征及性能测试方法简介第24-27页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)第24-25页
        2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)第25页
        2.3.3 原子力显微镜 (AFM)第25-26页
        2.3.4 X射线光电子能谱(XPS)第26页
        2.3.5 紫外-可见光透射谱第26页
        2.3.6 电流-电压(I-V)特性测试第26-27页
第三章 ZnSnO_3薄膜的制备及其性能研究第27-44页
    3.1 薄膜晶体管的基本结构第27-28页
    3.2 薄膜晶体管的基本工作原理第28页
    3.3 薄膜晶体管的主要电学参数第28-30页
    3.4 ZnSnO_3薄膜的制备第30页
    3.5 ZnSnO_3薄膜的表征第30-35页
        3.5.1 不同射频源功率下薄膜的XRD测试第31页
        3.5.2 射频源功率对薄膜表面形貌的影响第31-33页
        3.5.3 射频源功率对薄膜光学带隙的影响第33-35页
    3.6 ZnSnO_3薄膜的XPS测试第35-38页
    3.7 ZnSnO_3薄膜晶体管的制备与研究第38-43页
        3.7.1 Al电极的TLM模型接触电阻测试第38-40页
        3.7.2 ZnSnO_3薄膜晶体管的制备第40-41页
        3.7.3 ZnSnO_3薄膜晶体管的电学性能测试第41-43页
    3.8 小结第43-44页
第四章 基于ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的研究第44-63页
    4.1 ZnGeO_3薄膜的制备及性能表征第44-49页
    4.2 ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的制备与研究第49-58页
        4.2.1 ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的制备第49-51页
        4.2.2 ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的电学性能测试第51-58页
    4.3 ZnSnO_3/ZnGeO_3异质结薄膜晶体管的光电特性第58-61页
    4.4 小结第61-63页
第五章 结论与展望第63-65页
    5.1 结论第63-64页
    5.2 展望第64-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-70页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第70-71页

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