| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 多孔硅概述 | 第11-12页 |
| 1.2.1 多孔硅的概念 | 第11页 |
| 1.2.2 多孔硅的特性 | 第11-12页 |
| 1.2.3 多孔硅的应用 | 第12页 |
| 1.3 多孔硅基气体传感器的研究动态 | 第12-16页 |
| 1.4 NH_3气敏传感器的分类及研究进展 | 第16-18页 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 | 第18-20页 |
| 第二章 基本原理与方法 | 第20-34页 |
| 2.1 微结构硅基传感器结构设计与原理 | 第20-22页 |
| 2.1.1 器件结构设计 | 第20-21页 |
| 2.1.2 基本工作原理 | 第21页 |
| 2.1.3 微电极及引线的制备 | 第21-22页 |
| 2.2 微结构硅制备工艺 | 第22-25页 |
| 2.2.1 湿法刻蚀工艺 | 第22-23页 |
| 2.2.2 干法刻蚀工艺 | 第23-25页 |
| 2.3 敏感薄膜的制备工艺 | 第25-29页 |
| 2.3.1 气敏薄膜材料的选择 | 第25-27页 |
| 2.3.2 薄膜制备工艺 | 第27-29页 |
| 2.4 气敏特性测试与薄膜表征 | 第29-33页 |
| 2.4.1 主要特性参数 | 第29-30页 |
| 2.4.2 特性测试装置 | 第30-32页 |
| 2.4.3 薄膜表征方法 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 PANI纳米薄膜基微结构硅NH_3传感器的制备及研究 | 第34-50页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 MSSA传感结构的制备 | 第35-38页 |
| 3.2.1 氮化硅掩膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 微结构硅的湿法制备工艺与表征 | 第36-38页 |
| 3.3 PANI纳米薄膜的制备与表征 | 第38-42页 |
| 3.3.1 实验原料与仪器 | 第38页 |
| 3.3.2 PANI纳米薄膜的制备 | 第38-40页 |
| 3.3.3 PANI纳米薄膜的表征与分析 | 第40-42页 |
| 3.4 PANI纳米薄膜基微结构硅传感器的NH_3敏特性研究 | 第42-48页 |
| 3.4.1 不同亲水处理对NH_3敏特性的影响 | 第42-44页 |
| 3.4.2 微结构硅高度对NH_3敏特性的影响 | 第44-45页 |
| 3.4.3 优化的微结构硅传感器气敏性能测试与机理分析 | 第45-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 并五苯纳米薄膜基微结构硅NH_3传感器的研究 | 第50-61页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 微结构硅基的制备与表征 | 第50-52页 |
| 4.2.1 反应离子刻蚀制备微结构硅 | 第50-51页 |
| 4.2.2 微结构硅的表征与分析 | 第51-52页 |
| 4.3 并五苯纳米薄膜的制备与表征 | 第52-55页 |
| 4.3.1 并五苯纳米薄膜的制备 | 第52-53页 |
| 4.3.2 薄膜的表征与分析 | 第53-55页 |
| 4.4 并五苯纳米薄膜基微结构硅传感器的NH_3敏特性研究 | 第55-59页 |
| 4.4.1 RIE刻蚀的高度对器件性能的影响 | 第55-57页 |
| 4.4.2 优化的微结构硅传感器气敏性能测试 | 第57-59页 |
| 4.5 气敏机理分析 | 第59-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-64页 |
| 5.1 结论 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
