| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 纳米电子学简介 | 第10-11页 |
| 1.2 纳米电子器件的实验研究 | 第11-12页 |
| 1.3 纳米电子器件的理论模拟与面临的挑战 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容简介 | 第13-16页 |
| 第二章 电子结构计算和电子输运理论 | 第16-24页 |
| 2.1 电子结构计算：密度泛函理论 | 第16-19页 |
| 2.2 电子输运计算:非平衡格林函数方法 | 第19-22页 |
| 2.3 非平衡格林函数结合密度泛函理论处理电子输运问题 | 第22-24页 |
| 第三章 类磷烯MX(M=Ge/Sn,X=S/Se)纳米结构的电子输运性质 | 第24-32页 |
| 3.1 引言 | 第24-25页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第25页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第25-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第四章 锯齿型蓝磷纳米带电子输运性质的调控 | 第32-38页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第32-33页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 4.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 带宽和缺陷对锯齿型MoS_2纳米带电子输运性质的影响 | 第38-46页 |
| 5.1 引言 | 第38页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第38-39页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第39-45页 |
| 5.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 过渡金属二硫化物侧面异质结电子输运性质的研究 | 第46-53页 |
| 6.1 前言 | 第46页 |
| 6.2 计算模型和方法 | 第46-47页 |
| 6.3 结果和讨论 | 第47-51页 |
| 6.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第七章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第65-66页 |
