| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 二维半导体材料 | 第11-12页 |
| 1.2 二维异质结的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 二维异质结的分类 | 第13-16页 |
| 1.4 二维异质结的构建 | 第16-18页 |
| 1.5 本文研究材料介绍 | 第18页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 理论基础 | 第21-27页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第21-26页 |
| 2.1.1 绝热近似和哈特里-福克(Hartree-Fock)近似 | 第21-23页 |
| 2.1.2 Hohenberg-kohn定理 | 第23页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第24-25页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第25-26页 |
| 2.2 VASP程序包介绍 | 第26-27页 |
| 第三章 SnS/Graphene异质结的电子结构研究 | 第27-41页 |
| 3.1 研究背景 | 第27页 |
| 3.2 理论模型和方法 | 第27-28页 |
| 3.3 结果讨论 | 第28-39页 |
| 3.3.1 G/S异质结的稳定性 | 第28-29页 |
| 3.3.2 G/S异质结的电子结构和能带对齐 | 第29-32页 |
| 3.3.3 垂直应力对G/S异质结肖特基势垒的调控 | 第32-33页 |
| 3.3.4 外加电场对G/S异质结肖特基势垒的调控 | 第33-34页 |
| 3.3.5 莫尔条纹对齐方式对G/S异质结电子性质的影响 | 第34-36页 |
| 3.3.6 G/S/G和S/G/G异质结的电子结构和肖特基势垒 | 第36-37页 |
| 3.3.7 外加电场对G/S/G和S/G/G异质结肖特基势垒调控 | 第37-39页 |
| 3.4 结论 | 第39-41页 |
| 第四章 Ca(OH)_2/Arsenene异质结的电子性质研究 | 第41-47页 |
| 4.1 研究背景 | 第41页 |
| 4.2 理论模型和方法 | 第41-42页 |
| 4.3 结果讨论 | 第42-46页 |
| 4.3.1 Arsenene/Ca(OH)_2异质结的结构稳定性 | 第42-43页 |
| 4.3.2 Arsenene/Ca(OH)_2异质结的电子结构和能带对齐 | 第43-44页 |
| 4.3.3 Arsenene/Ca(OH)_2异质结的外加电场调控 | 第44-46页 |
| 4.4 结论 | 第46-47页 |
| 第五章 Mg(OH)_2/VS_2异质结的磁性和电子性质研究 | 第47-55页 |
| 5.1 研究背景 | 第47页 |
| 5.2 理论模型和方法 | 第47-48页 |
| 5.3 结果讨论 | 第48-54页 |
| 5.3.1 Mg(OH)_2和VS_2单层的几何结构、电子和磁性特性研究 | 第48-49页 |
| 5.3.2 Mg(OH)_2/VS_2异质结的磁性和电子特性研究 | 第49-52页 |
| 5.3.3 外加电场对Mg(OH)_2/VS_2异质结的电子结构的影响 | 第52-54页 |
| 5.4 结论 | 第54-55页 |
| 第六章 总结及展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第69-70页 |
