| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第11页 |
| 1.2 SIGEBICMOS技术及HBT介绍 | 第11-14页 |
| 1.2.1 SiGeBiCMOS技术介绍 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SiGeHBT介绍 | 第12-14页 |
| 1.3 射频开关和功率放大器国内外发展现状 | 第14-16页 |
| 1.3.1 射频开关国内外发展现状 | 第14页 |
| 1.3.2 功率放大器国内外发展现状 | 第14-16页 |
| 1.4 论文研究内容与组织结构 | 第16-17页 |
| 1.4.1 研究内容 | 第16页 |
| 1.4.2 论文组织结构 | 第16-17页 |
| 第二章 SWITCH和PA基础理论 | 第17-28页 |
| 2.1 射频开关的基础理论 | 第17-20页 |
| 2.1.1 开关的关键指标 | 第17-19页 |
| 2.1.1.1 插入损耗 | 第17页 |
| 2.1.1.2 隔离度 | 第17-18页 |
| 2.1.1.3 回波损耗与电压驻波比 | 第18页 |
| 2.1.1.4 线性度 | 第18-19页 |
| 2.1.2 传统开关结构 | 第19-20页 |
| 2.2 功率放大器的基础理论 | 第20-26页 |
| 2.2.1 功率放大器的性能参数 | 第20-23页 |
| 2.2.1.1 输出功率 | 第20-21页 |
| 2.2.1.2 功率增益 | 第21页 |
| 2.2.1.3 效率 | 第21页 |
| 2.2.1.4 线性度 | 第21-23页 |
| 2.2.1.5 错误向量幅度 | 第23页 |
| 2.2.2 功率放大器的分类 | 第23-24页 |
| 2.2.3 功率放大器的电路结构 | 第24-26页 |
| 2.2.3.1 单端结构功率放大器 | 第25页 |
| 2.2.3.2 平衡结构功率放大器 | 第25-26页 |
| 2.2.3.3 差分结构功率放大器 | 第26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 基于IBMSIGEBICMOS8HP工艺KA波段SPDT设计 | 第28-45页 |
| 3.1 IBMSIGEBICMOS8HP工艺简介 | 第28页 |
| 3.2 多种常见SPDT拓扑结构分析对比 | 第28-35页 |
| 3.2.1 传统串并联结构SPDT | 第28-30页 |
| 3.2.2 电感匹配替代串联晶体管结构SPDT | 第30-33页 |
| 3.2.3 使用SiGeHBT晶体管的SPDT | 第33-35页 |
| 3.3 基于IBMSIGEBICMOS8HP工艺KA波段SPDT设计 | 第35-44页 |
| 3.3.1 Ka波段SPDT设计指标要求 | 第36页 |
| 3.3.2 SiGeHBT小信号等效模型分析 | 第36-37页 |
| 3.3.3 Ka波段SPDT拓扑设计与分析 | 第37-41页 |
| 3.3.4 Ka波段SPDT版图设计及仿真结果 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于IBMSIGEBICMOS8HP工艺F波段功率放大器设计 | 第45-62页 |
| 4.1 功率放大器设计指标 | 第45页 |
| 4.2 功率放大器整体结构框图及设计流程 | 第45-59页 |
| 4.2.1 有源器件选择 | 第46-47页 |
| 4.2.2 稳定性网络设计 | 第47-48页 |
| 4.2.3 偏置网络设计 | 第48-49页 |
| 4.2.4 匹配网络设计 | 第49-56页 |
| 4.2.4.1 最大功率传输理论 | 第49-50页 |
| 4.2.4.2 负载牵引技术 | 第50页 |
| 4.2.4.3 匹配网络拓扑结构 | 第50-54页 |
| 4.2.4.4 输入、级间及输出匹配网络设计 | 第54-56页 |
| 4.2.5 功率放大器版图设计 | 第56-59页 |
| 4.2.5.1 晶体管的layout | 第56-58页 |
| 4.2.5.2 变压器的layout | 第58-59页 |
| 4.3 版图联合仿真结果分析 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 总结 | 第62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70页 |
