| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 GaN基功率器件国内外研究现状 | 第12-17页 |
| 1.3 本论文结构安排 | 第17-19页 |
| 第二章 GaN基结控制势垒二极管的基本特性 | 第19-37页 |
| 2.1 GaN材料的基本特性 | 第19-21页 |
| 2.2 GaN基PN结二极管 | 第21-25页 |
| 2.2.1 PiN二极管正向导通特性 | 第21-23页 |
| 2.2.2 PiN二极管的击穿特性 | 第23-25页 |
| 2.3 肖特基势垒二极管 | 第25-28页 |
| 2.3.1 正向导通特性 | 第25-26页 |
| 2.3.2 反向击穿特性 | 第26-28页 |
| 2.4 结势垒二极管JBS | 第28-32页 |
| 2.4.1 正向导通特性 | 第29-30页 |
| 2.4.2 反向截止特性 | 第30-32页 |
| 2.5 JBS的常规耐压技术分析 | 第32-36页 |
| 2.5.1 具有场板结构的结控制势垒二极管 | 第32-33页 |
| 2.5.2 具有场环结构的结控制势垒二极管 | 第33-34页 |
| 2.5.3 具有结终端扩展结构的结控制势垒二极管 | 第34-35页 |
| 2.5.4 具有复合终端结构的结控制势垒二极管 | 第35-36页 |
| 2.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 电荷补偿层耐压结构GaN基垂直结势垒二极管研究 | 第37-46页 |
| 3.1 GaNICE-JBS器件结构与工作原理 | 第37-39页 |
| 3.2 GaNICE-JBS关键结构参数优化 | 第39-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 GaN基垂直复合介质层结势垒二极管耐压结构设计 | 第46-62页 |
| 4.1 高/低K复合介质层技术原理 | 第46-48页 |
| 4.2 GaNVCD-JBS器件结构与物理模型 | 第48-49页 |
| 4.3 GaNVCD-JBS电学特性分析 | 第49-52页 |
| 4.4 GaN基VCD-JBS关键结构参数优化设计 | 第52-59页 |
| 4.5 GaNVCD-JBS关键工艺流程 | 第59-61页 |
| 4.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 全文总结与工作展望 | 第62-64页 |
| 5.1 工作总结 | 第62-63页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间获得的成果 | 第70页 |
