| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 InGaN/GaN材料 | 第11-13页 |
| 1.3 InGaN/GaN LED研究历史发展现状 | 第13-15页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 InGaN/GaN LED基本物理 | 第16-25页 |
| 2.1 InGaN/GaN多量子阱LED发光原理 | 第16-17页 |
| 2.2 InGaN/GaN多量子阱LED光电热特性 | 第17-22页 |
| 2.2.1 光参数 | 第18-20页 |
| 2.2.2 电参数 | 第20-21页 |
| 2.2.3 热参数 | 第21-22页 |
| 2.3 InGaN/GaN LED量子效率的影响因素 | 第22-25页 |
| 2.3.1 影响LED量子效率的主要因素 | 第22-23页 |
| 2.3.2 提高LED量子效率的措施 | 第23-25页 |
| 第三章 器件建模和仿真方案 | 第25-34页 |
| 3.1 Sentaurus软件介绍 | 第25-27页 |
| 3.1.1 Sentaurus TCAD研究内容 | 第25页 |
| 3.1.2 Sentaurus TCAD的各种工具简要介绍 | 第25-27页 |
| 3.2 器件模拟参数和基本模型 | 第27-32页 |
| 3.2.1 载流子基本方程 | 第27-29页 |
| 3.2.2 极化模型 | 第29-30页 |
| 3.2.3 复合模型 | 第30-32页 |
| 3.3 器件基本结构和仿真方案 | 第32-34页 |
| 3.3.1 器件基本结构 | 第32页 |
| 3.3.2 仿真方案 | 第32-34页 |
| 第四章 InGaN/Ga N多量子阱结构阱中In含量优化设计 | 第34-38页 |
| 第五章 InGaN/Ga N多量子阱结构阱宽度优化设计 | 第38-53页 |
| 5.1 保持量子阱整体宽度不变的前提下对阱层宽度进行调节 | 第38-43页 |
| 5.2 量子阱总宽改变前提下整体调节量子阱阱层宽度 | 第43-47页 |
| 5.3 量子阱总宽变化条件下对称性改变前后两组阱 | 第47-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第六章 InGaN/Ga N多量子阱结构垒宽度优化设计 | 第53-65页 |
| 6.1 保持量子阱整体宽度不变改变垒宽度 | 第53-57页 |
| 6.2 量子阱总体变化前提下整体垒宽度进行调节 | 第57-61页 |
| 6.3 量子阱整体变化前提下对称性改变前后两组垒 | 第61-64页 |
| 6.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第七章 结论与展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 读硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
