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InP基多量子阱环形激光器的优化设计与特性分析

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-20页
    1.1 半导体环形激光器的发展历史第9-12页
    1.2 半导体环形激光器的研究现状第12-15页
    1.3 半导体环形激光器的工作原理第15-18页
        1.3.1 工作条件第15-17页
        1.3.2 光学双稳态第17-18页
    1.4 研究背景和主要内容第18-20页
第二章 AlGaInAs多量子阱环形激光器的器件设计第20-33页
    2.1 半导体环形激光器的材料结构设计第20-22页
    2.2 波导设计第22-25页
        2.2.1 Rsoft软件介绍第22-23页
        2.2.2 脊型波导设计第23-25页
    2.3 环形谐振腔的弯曲损耗第25-27页
        2.3.1 环形谐振腔的波动方程第25-26页
        2.3.2 环形谐振器腔的弯曲损耗与曲率半径的关系第26-27页
    2.4 波导的耦合第27-33页
        2.4.1 耦合模理论第27-29页
        2.4.2 耦合效率第29-31页
        2.4.3 耦合间距对耦合系数和耦合效率的影响第31-33页
第三章 多量子阱环形激光器的结构优化与特性分析第33-51页
    3.1 半导体环形激光器的主要特性第33-38页
        3.1.1 增益特性第33页
        3.1.2 阈值特性第33-36页
        3.1.3 输出特性第36-38页
    3.2 阈值电流的仿真分析第38-41页
    3.3 多量子阱半导体环形激光器的量子阱结构优化第41-48页
        3.3.1 TCAD仿真工具介绍第41-44页
        3.3.2 激光器仿真模型第44-45页
        3.3.3 仿真结果与分析第45-48页
    3.4 多量子阱环形激光器的制备与性能表征第48-51页
        3.4.1 环形激光器的制备第48页
        3.4.2 环形激光器的性能表征第48-51页
第四章 多量子阱半导体环形激光器的温度特性研究第51-57页
    4.1 半导体激光器温度特性的研究进展第51-52页
    4.2 特征温度及其影响因素第52-53页
    4.3 多量子阱环形激光器的特征温度模型第53-54页
    4.4 仿真结果与分析第54-57页
第五章 总结和展望第57-59页
参考文献第59-62页
发表论文和参加科研情况说明第62-63页
致谢第63-64页

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