首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--铁电及压电器件论文

铁电隧道结的多值存储机理研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-19页
    1.1 铁电存储器第9-12页
        1.1.1 电容型铁电存储器第9-10页
        1.1.2 晶体管型铁电存储器第10-11页
        1.1.3 电阻型铁电存储器第11-12页
    1.2 铁电隧道结存储机理第12-19页
        1.2.1 静电屏蔽效应第12-15页
        1.2.2 应力效应第15-17页
        1.2.3 界面效应第17-19页
第2章 铁电隧道结的研究方向与分析第19-32页
    2.1 提高铁电隧道结开关比第19-25页
        2.1.1 引言第19页
        2.1.2 理论上的研究进展与分析第19-22页
        2.1.3 实验上的研究进展与分析第22-25页
    2.2 提高铁电隧道结单元逻辑值数第25-30页
        2.2.1 引言第25页
        2.2.2 理论上的研究进展与分析第25-27页
        2.2.3 实验上的研究进展与分析第27-30页
    2.3 本课题的选取依据与主要研究内容第30-32页
第3章 多值极化铁电隧道结的模拟仿真第32-42页
    3.1 引言第32页
    3.2 超薄铁电薄膜多值极化可行性第32-33页
    3.3 建立多值极化隧道结理论模型第33-37页
    3.4 基准偏压对遂穿电导的影响第37-38页
    3.5 夹层厚度与介电常数对遂穿电导的影响第38-39页
    3.6 饱和极化强度对遂穿电导的影响第39-41页
    3.7 本章小结第41-42页
第4章 复合夹层铁电隧道结的多值极化与逆压电效应研究第42-52页
    4.1 引言第42页
    4.2 建立复合夹层铁电隧道结多值极化模型第42-45页
    4.3 介电层厚度对遂穿电导与开关比的影响第45-47页
    4.4 铁电层厚度对遂穿电导与开关比的影响第47-48页
    4.5 基准偏压对遂穿电导与开关比的影响第48页
    4.6 饱和极化强度对遂穿电导与开关比的影响第48-50页
    4.7 本章小结第50-52页
第5章 总结与展望第52-54页
    5.1 论文总结第52-53页
    5.2 工作展望第53-54页
参考文献第54-60页
致谢第60-61页
个人简历、攻读学位期间发表的论文目录第61页

论文共61页,点击 下载论文
上一篇:微型悬臂叠层芯片的结构动力学实验及分析
下一篇:高速多通道Flash ADC设计及衬底耦合噪声分析