| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 斜入射沉积 | 第13-15页 |
| 1.2.1 斜入射沉积的概念 | 第13页 |
| 1.2.2 薄膜的形核及柱状晶的长大 | 第13-15页 |
| 1.2.3 斜入射沉积薄膜的特点及不足 | 第15页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第15-18页 |
| 1.4 高功率脉冲磁控溅射 | 第18-22页 |
| 1.4.1 高功率脉冲磁控溅射技术的提出 | 第18-19页 |
| 1.4.2 高功率脉冲磁控溅射的放电电离机制 | 第19-20页 |
| 1.4.3 高功率脉冲磁控溅射的应用 | 第20-22页 |
| 1.5 本文的研究目的与研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验设备、材料及方法 | 第24-31页 |
| 2.1 实验设备 | 第24-25页 |
| 2.1.1 非平衡磁控溅射(UBMS)设备 | 第24-25页 |
| 2.1.2 磁控溅射电源 | 第25页 |
| 2.2 实验材料及预处理 | 第25-26页 |
| 2.3 分析测试方法 | 第26-31页 |
| 2.3.1 发射光谱等离子体采集 | 第26-27页 |
| 2.3.2 薄膜厚度的测量 | 第27-28页 |
| 2.3.3 薄膜晶体结构的分析 | 第28页 |
| 2.3.4 薄膜横截面结构的分析 | 第28-29页 |
| 2.3.5 薄膜显微硬度的测量 | 第29-31页 |
| 第3章 DCMS与HPPMS在半球形工件表面制备Ti薄膜的均匀性研究 | 第31-46页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 半球形工件内、外表面Ti薄膜的制备 | 第31-34页 |
| 3.3 半球形工件内、外表面Ti薄膜结构及性能表征 | 第34-45页 |
| 3.3.1 Ti薄膜制备过程中靶前等离子体组分分析 | 第34-36页 |
| 3.3.2 薄膜的沉积速率 | 第36-39页 |
| 3.3.3 薄膜的物相结构 | 第39-41页 |
| 3.3.4 薄膜的横截面形貌 | 第41-43页 |
| 3.3.5 薄膜的硬度 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 基体偏压对HPPMS沉积Ti薄膜结构和性能均匀性的影响 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 HPPMS在半球形工件内、外表面制备薄膜的参数 | 第46-47页 |
| 4.3 偏压对半球形工件内、外表面沉积薄膜均匀性的影响 | 第47-54页 |
| 4.3.1 偏压对薄膜沉积速率的影响 | 第47-49页 |
| 4.3.2 偏压对薄膜晶体结构的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.3 偏压对薄膜横截面形貌的影响 | 第51-53页 |
| 4.3.4 偏压对薄膜硬度的影响 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 研究展望 | 第56-57页 |
| 全文结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第68页 |
