| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 单晶硅及其常见损伤检测方法 | 第13-18页 |
| 1.2.1 化学刻蚀法 | 第13-14页 |
| 1.2.2 截面显微法 | 第14-15页 |
| 1.2.3 X-射线衍射法 | 第15-16页 |
| 1.2.4 透射电镜法 | 第16-17页 |
| 1.2.5 显微拉曼光谱法 | 第17-18页 |
| 1.3 导电原子力显微镜的应用 | 第18-20页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第20-23页 |
| 1.4.1 选题意义 | 第20-21页 |
| 1.4.2 课题的研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 实验材料和方法 | 第23-35页 |
| 2.1 实验材料 | 第23-24页 |
| 2.2 实验设备 | 第24-30页 |
| 2.2.1 导电原子力显微镜 | 第24-28页 |
| 2.2.2 多点接触微纳米加工设备 | 第28页 |
| 2.2.3 原位纳米力学测试系统 | 第28-30页 |
| 2.3 实验方法 | 第30-35页 |
| 2.3.1 材料表面划痕加工 | 第30-32页 |
| 2.3.2 导电原子力显微镜测试 | 第32-35页 |
| 第3章 扫描速度和扫描角度对导电原子力显微镜检测的影响 | 第35-42页 |
| 3.1 扫描速度对导电原子力显微镜电流检测的影响 | 第35-38页 |
| 3.2 扫描角度对导电原子力显微镜电流检测的影响 | 第38-39页 |
| 3.3 干扰电流信号产生原因分析 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 单晶硅表面划痕的导电性 | 第42-49页 |
| 4.1 单晶硅表面机械损伤划痕的导电性 | 第42-44页 |
| 4.1.1 划痕载荷对机械损伤划痕表面电流的影响 | 第42-43页 |
| 4.1.2 偏转电压对机械损伤划痕表面电流的影响 | 第43-44页 |
| 4.2 单晶硅表面其它纳米划痕/结构的导电性 | 第44-48页 |
| 4.2.1 摩擦诱导纳米凸结构的导电性 | 第44-46页 |
| 4.2.2 摩擦化学诱导无损去除区域的导电性 | 第46-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 单晶硅表面机械损伤划痕的导电机理 | 第49-57页 |
| 5.1 单晶硅的导电原理 | 第49-50页 |
| 5.2 硅的晶相转变及其性质 | 第50-51页 |
| 5.3 表面机械损伤致导电性增强的机理 | 第51-53页 |
| 5.4 单晶硅不同晶面的划痕导电性 | 第53-55页 |
| 5.5 抛光单晶硅片的损伤检测 | 第55-56页 |
| 5.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论与展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第66页 |